一种二维非化学计量比三元过渡金属硫族化合物纳米片的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411199814.2

申请日：

2024-08-29

公开(公告)号：

CN119059563A

公开(公告)日：

2024-12-03

发明(设计)人：

张中石孟祥敏夏静

申请人：

中国科学院理化技术研究所

申请人地址：

100190 北京市海淀区中关村东路29号

IPC主分类号：

C01G37/00

IPC分类号：

B82Y40/00

代理机构：

北京路浩知识产权代理有限公司 11002

代理人：

尚攀

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

北京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-12-20	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C01G 37/00申请日:20240829
2024-12-03	公开	公开

共 50 条

[1]

一种制备单晶二维过渡金属硫族化合物的方法 [P].

刘开辉 ;

王金焕 ;

徐小志 .

中国专利 :CN112760714B ,2021-05-07

[2]

一种小尺寸过渡金属硫族化合物二维纳米片的制备方法 [P].

宇文力辉 ;

汪联辉 ;

朱迪 ;

修尉峻 ;

张玉倩 ;

单京阳 ;

李潇 .

中国专利 :CN108423642B ,2018-08-21

[3]

二维过渡金属硫族化合物纳米片半金属特性的调控方法 [P].

张跃 ;

高丽 ;

张铮 ;

廖庆亮 .

中国专利 :CN112694127A ,2021-04-23

[4]

一种二维过渡金属硫族化合物的制备方法、二维过渡金属硫族化合物，以及装置 [P].

刘锴 ;

郭婧 ;

石润 .

中国专利 :CN118479540A ,2024-08-13

[5]

一种二维过渡金属硫族化合物明、暗激子的调控方法 [P].

杨伟煌 ;

陈相硕 ;

李华 ;

王高峰 ;

周昌杰 .

中国专利 :CN111312593A ,2020-06-19

[6]

一种二维过渡金属硫族化合物能谷极化特性的调控方法 [P].

杨伟煌 ;

李华 ;

王高峰 ;

周昌杰 .

中国专利 :CN110335819A ,2019-10-15

[7]

一种二维过渡金属硫族化合物晶体及其制备方法和用途 [P].

冯晴亮 ;

朱美洁 ;

李萌 ;

郑建邦 .

中国专利 :CN110257906B ,2019-09-20

[8]

二维过渡金属硫族化合物材料的制备方法 [P].

孟岚 ;

徐超级 ;

颜晓红 .

中国专利 :CN110093591A ,2019-08-06

[9]

二维过渡金属硫族化合物的连续制备方法 [P].

时玉萌 .

中国专利 :CN112522680A ,2021-03-19

[10]

一种二维过渡金属硫族化合物纳米片褶皱应变的调控方法 [P].

张跃 ;

高丽 ;

廖庆亮 ;

张铮 .

中国专利 :CN112694128B ,2021-04-23

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