一种二维过渡金属硫族化合物的制备方法、二维过渡金属硫族化合物，以及装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202310106470.5

申请日：

2023-02-13

公开(公告)号：

CN118479540A

公开(公告)日：

2024-08-13

发明(设计)人：

刘锴郭婧石润

申请人：

清华大学

申请人地址：

100084 北京市海淀区清华园1号

IPC主分类号：

C01G39/06

IPC分类号：

B01J19/00

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277

代理人：

李茂家;闫俊萍

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

北京市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-08-30	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C01G 39/06申请日:20230213
2024-08-13	公开	公开

共 50 条

[1]

二维过渡金属硫族化合物的连续制备方法 [P].

时玉萌 .

中国专利 :CN112522680A ,2021-03-19

[2]

二维过渡金属硫族化合物材料的制备方法 [P].

孟岚 ;

徐超级 ;

颜晓红 .

中国专利 :CN110093591A ,2019-08-06

[3]

二维过渡金属硫族化合物的合成方法 [P].

杨树斌 ;

杜志国 .

中国专利 :CN112678826B ,2021-04-20

[4]

一种二维过渡金属硫族化合物的制备方法 [P].

马丽颖 ;

潘亚苹 ;

王习习 ;

赵乃勤 ;

师春生 ;

刘恩佐 ;

何芳 ;

沙军威 .

中国专利 :CN109336181A ,2019-02-15

[5]

一种二维过渡金属硫族化合物的制备方法 [P].

辛星 ;

陈佳美 ;

张艳梅 ;

刘为振 ;

徐海阳 .

中国专利 :CN113089088A ,2021-07-09

[6]

二维过渡金属硫族化合物及其制备方法和器件 [P].

刘碧录 ;

冯思敏 ;

成会明 ;

谭隽阳 .

中国专利 :CN111893456A ,2020-11-06

[7]

一种制备单晶二维过渡金属硫族化合物的方法 [P].

刘开辉 ;

王金焕 ;

徐小志 .

中国专利 :CN112760714B ,2021-05-07

[8]

一种二维过渡金属硫族化合物薄膜及其制备方法 [P].

胡一说 ;

曾祥斌 ;

王文照 ;

吴少雄 ;

徐素娥 ;

曾洋 ;

李寒剑 .

中国专利 :CN107523811A ,2017-12-29

[9]

一种模拟二维过渡金属硫族化合物相变的方法 [P].

邵鹏 ;

孙洪波 ;

邵志胜 ;

丁利苹 ;

朱骅 ;

张晓斐 .

中国专利 :CN121054111A ,2025-12-02

[10]

一种二维过渡金属硫族化合物及其制备和应用 [P].

胡志宇 ;

张帅 ;

吴振华 ;

罗思远 ;

刘泽昆 ;

刘妍 ;

施慧烈 ;

傅理夫 .

中国专利 :CN115537920A ,2022-12-30

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