一种制备单晶二维过渡金属硫族化合物的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911065167.5

申请日：

2019-11-04

公开(公告)号：

CN112760714B

公开(公告)日：

2021-05-07

发明(设计)人：

刘开辉王金焕徐小志

申请人：

申请人地址：

100871 北京市海淀区颐和园路5号

IPC主分类号：

C30B2946

IPC分类号：

C30B2518

代理机构：

北京德崇智捷知识产权代理有限公司 11467

代理人：

王欣

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-05-07	公开	公开
2021-05-25	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/46 申请日:20191104
2022-06-03	授权	授权

共 50 条

[1]

一种快速检测二维过渡金属硫族化合物晶界的方法 [P].

王金焕 ;

徐小志 ;

乔瑞喜 ;

刘开辉 .

中国专利 :CN108362694A ,2018-08-03

[2]

一种二维过渡金属硫族化合物的制备方法、二维过渡金属硫族化合物，以及装置 [P].

刘锴 ;

郭婧 ;

石润 .

中国专利 :CN118479540A ,2024-08-13

[3]

一种二维过渡金属硫族化合物明、暗激子的调控方法 [P].

杨伟煌 ;

陈相硕 ;

李华 ;

王高峰 ;

周昌杰 .

中国专利 :CN111312593A ,2020-06-19

[4]

一种二维过渡金属硫族化合物能谷极化特性的调控方法 [P].

杨伟煌 ;

李华 ;

王高峰 ;

周昌杰 .

中国专利 :CN110335819A ,2019-10-15

[5]

二维过渡金属硫族化合物材料的制备方法 [P].

孟岚 ;

徐超级 ;

颜晓红 .

中国专利 :CN110093591A ,2019-08-06

[6]

二维过渡金属硫族化合物的连续制备方法 [P].

时玉萌 .

中国专利 :CN112522680A ,2021-03-19

[7]

一种催化剂双辅助的二维过渡金属硫族化合物薄膜的制备方法 [P].

唐宁 ;

樊腾 ;

刘星辰 ;

张仕雄 ;

王奋陶 ;

孙真昊 ;

姜稼阳 ;

李国平 .

中国专利 :CN114574955B ,2022-06-03

[8]

一种二维过渡金属硫族化合物的制备方法 [P].

马丽颖 ;

潘亚苹 ;

王习习 ;

赵乃勤 ;

师春生 ;

刘恩佐 ;

何芳 ;

沙军威 .

中国专利 :CN109336181A ,2019-02-15

[9]

一种二维过渡金属硫族化合物的制备方法 [P].

辛星 ;

陈佳美 ;

张艳梅 ;

刘为振 ;

徐海阳 .

中国专利 :CN113089088A ,2021-07-09

[10]

二维黑磷/过渡金属硫族化合物异质结器件及其制备方法 [P].

张楷亮 ;

唐登轩 ;

冯玉林 ;

王芳 ;

方明旭 ;

李悦 ;

韩叶梅 ;

邢宇鹏 .

中国专利 :CN106024861A ,2016-10-12

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