二维黑磷/过渡金属硫族化合物异质结器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610378900.9

申请日：

2016-05-31

公开(公告)号：

CN106024861A

公开(公告)日：

2016-10-12

发明(设计)人：

张楷亮唐登轩冯玉林王芳方明旭李悦韩叶梅邢宇鹏

申请人：

申请人地址：

300384 天津市西青区宾水西道391号天津理工大学主校区

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L2924 H01L29735 H01L29737 H01L2134 H01L2978 H01L31032 H01L310352 H01L31072 H01L3118 B82Y3000 B82Y4000

代理机构：

天津佳盟知识产权代理有限公司 12002

代理人：

侯力

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

引用

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共 50 条

[1]

二维过渡金属硫族化合物及其制备方法和器件 [P].

刘碧录 ;

冯思敏 ;

成会明 ;

谭隽阳 .

中国专利 :CN111893456A ,2020-11-06

[2]

二维过渡金属硫族化合物的连续制备方法 [P].

时玉萌 .

中国专利 :CN112522680A ,2021-03-19

[3]

一种二维过渡金属硫族化合物晶体及其制备方法和用途 [P].

冯晴亮 ;

朱美洁 ;

李萌 ;

郑建邦 .

中国专利 :CN110257906B ,2019-09-20

[4]

一种二维过渡金属硫族化合物的制备方法、二维过渡金属硫族化合物，以及装置 [P].

刘锴 ;

郭婧 ;

石润 .

中国专利 :CN118479540A ,2024-08-13

[5]

二维过渡金属硫族化合物材料的制备方法 [P].

孟岚 ;

徐超级 ;

颜晓红 .

中国专利 :CN110093591A ,2019-08-06

[6]

一种制备单晶二维过渡金属硫族化合物的方法 [P].

刘开辉 ;

王金焕 ;

徐小志 .

中国专利 :CN112760714B ,2021-05-07

[7]

一种制备二维过渡金属硫族化合物面内异质结的方法 [P].

何大伟 ;

白晋轩 ;

王永生 .

中国专利 :CN112760715A ,2021-05-07

[8]

一种二维过渡金属硫族化合物能谷极化特性的调控方法 [P].

杨伟煌 ;

李华 ;

王高峰 ;

周昌杰 .

中国专利 :CN110335819A ,2019-10-15

[9]

一种二维过渡金属硫族化合物及其制备和应用 [P].

胡志宇 ;

张帅 ;

吴振华 ;

罗思远 ;

刘泽昆 ;

刘妍 ;

施慧烈 ;

傅理夫 .

中国专利 :CN115537920A ,2022-12-30

[10]