一种低温原位控制合成碘铋铜三元化合物半导体光电薄膜材料的化学方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810684416.8

申请日：

2018-06-28

公开(公告)号：

CN110660914A

公开(公告)日：

2020-01-07

发明(设计)人：

郑直张卜生雷岩余海丽杨晓刚齐瑞娟

申请人：

申请人地址：

461000 河南省许昌市八一路88号许昌学院

IPC主分类号：

H01L5142

IPC分类号：

H01L5148 C03C1734 C03C1722

代理机构：

湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102

代理人：

乔宇

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-01-07	公开	公开
2020-02-04	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 51/42 申请日:20180628

共 50 条

[21]

一种三元铜硫族化合物CuSbS2半导体纳米材料的制备方法 [P].

于军胜 ;

徐俊杰 ;

孟祥 ;

李璐 .

中国专利 :CN115367797A ,2022-11-22

[22]

具有三元化合物沟道层的半导体器件 [P].

R·霍夫曼 ;

H·蒋 ;

J·沃格 .

中国专利 :CN100550423C ,2006-10-25

[23]

一种合成半导体化合物的方法 [P].

王书杰 ;

孙聂枫 ;

史艳磊 ;

刘峥 ;

邵会民 ;

姜剑 ;

李晓岚 ;

王阳 ;

邹学锋 ;

马春雷 ;

张晓丹 ;

康永 ;

刘惠生 ;

张鑫 .

中国专利 :CN115198355B ,2024-04-16

[24]

一种化合物半导体材料多晶合成的装置 [P].

赖占平 ;

高瑞良 ;

齐得格 ;

周春锋 .

中国专利 :CN2666932Y ,2004-12-29

[25]

一种化合物半导体薄膜的制备方法 [P].

钟北军 ;

曹文玉 ;

周勇 ;

姜占锋 .

中国专利 :CN101851742B ,2010-10-06

[26]

一种制备MgZnO三元化合物有序薄膜的方法 [P].

薛名山 ;

李文 ;

王法军 .

中国专利 :CN101805885A ,2010-08-18

[27]

一种三元硫属半导体化合物纳米带的制备方法 [P].

蒋阳 ;

李国华 ;

王春 ;

蓝新正 ;

刘新梅 .

中国专利 :CN101503184A ,2009-08-12

[28]

一种化合物半导体用合成炉 [P].

于晖 ;

魏登科 ;

樊玉 .

中国专利 :CN204959081U ,2016-01-13

[29]

植物酚酸辅助水热合成CTS三元化合物的方法 [P].

霍地 ;

郗海琴 .

中国专利 :CN107364882B ,2017-11-21

[30]

一种化合物半导体的金属化结构 [P].

史梦然 ;

赵建忠 ;

曹雪峰 ;

孙浩 .

中国专利 :CN203218272U ,2013-09-25

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