一种化合物半导体的金属化结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201320191460.8

申请日：

2013-04-16

公开(公告)号：

CN203218272U

公开(公告)日：

2013-09-25

发明(设计)人：

史梦然赵建忠曹雪峰孙浩

申请人：

申请人地址：

100015 北京市朝阳区酒仙桥路4号

IPC主分类号：

H01L310224

IPC分类号：

H01L3109 H01L3118

代理机构：

工业和信息化部电子专利中心 11010

代理人：

齐洁茹

法律状态：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-09-25	授权	授权

共 50 条

[1]

一种化合物半导体的金属化结构 [P].

史梦然 ;

赵建忠 ;

曹雪峰 ;

孙浩 .

中国专利 :CN103227214A ,2013-07-31

[2]

一种化合物半导体的金属化结构 [P].

颜添和 .

中国专利 :CN206961837U ,2018-02-02

[3]

一种化合物半导体器件的金属结构 [P].

吕前宏 ;

茆同海 .

中国专利 :CN207068863U ,2018-03-02

[4]

化合物半导体衬底、化合物半导体衬底的制造方法以及半导体器件 [P].

柴田佳彦 ;

宫原真敏 ;

池田孝司 ;

国见仁久 .

中国专利 :CN101802979A ,2010-08-11

[5]

化合物半导体装置及化合物半导体装置的制造方法 [P].

伊籐裕规 ;

岩渕昭夫 ;

施欣宏 .

中国专利 :CN102637734A ,2012-08-15

[6]

化合物半导体元件的栅极金属改良结构 [P].

花长煌 ;

邱凯信 ;

华特东尼福摩斯 .

中国专利 :CN107026193A ,2017-08-08

[7]

一种化合物半导体的金属连线方法及结构 [P].

王勇 .

中国专利 :CN106601624B ,2017-04-26

[8]

化合物半导体装置、化合物半导体基板以及化合物半导体装置的制造方法 [P].

菱木繁臣 ;

川村启介 .

中国专利 :CN112997283A ,2021-06-18

[9]

一种化合物半导体电路隔离结构及含有该结构的化合物半导体设备 [P].

朱厉阳 ;

李明哲 ;

吴佳燕 ;

彭若诗 ;

徐少东 ;

吴畅 ;

袁俊 .

中国专利 :CN117174647B ,2025-08-26

[10]

具有化合物半导体的半导体器件结构及其制造方法 [P].

阿明·克隆普 .

中国专利 :CN112310024A ,2021-02-02

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