化合物半导体装置及化合物半导体装置的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210028773.1

申请日：

2012-02-09

公开(公告)号：

CN102637734A

公开(公告)日：

2012-08-15

发明(设计)人：

伊籐裕规岩渕昭夫施欣宏

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹科学工业园区

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L21335

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

张劲松

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-02-19	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101571127832 IPC(主分类):H01L 29/778 专利申请号:2012100287731 申请日:20120209
2016-08-17	授权	授权
2012-08-15	公开	公开

共 50 条

[1]

化合物半导体装置、化合物半导体基板以及化合物半导体装置的制造方法 [P].

菱木繁臣 ;

川村启介 .

中国专利 :CN112997283A ,2021-06-18

[2]

化合物半导体装置 [P].

多木俊裕 ;

冈本直哉 .

中国专利 :CN102169894A ,2011-08-31

[3]

化合物半导体装置及其制造方法 [P].

美浓浦优一 ;

吉川俊英 .

中国专利 :CN102668092A ,2012-09-12

[4]

化合物半导体装置及其制造方法 [P].

金村雅仁 ;

吉川俊英 .

中国专利 :CN102034859A ,2011-04-27

[5]

化合物半导体装置以及制造该化合物半导体装置的方法 [P].

村田道昭 ;

宇佐美浩之 ;

太田恭久 ;

高桥均 .

中国专利 :CN102254936B ,2011-11-23

[6]

化合物半导体基板的制造方法以及化合物半导体基板 [P].

生川满久 ;

铃木悠宜 ;

大内澄人 .

中国专利 :CN109964306A ,2019-07-02

[7]

化合物半导体元件及化合物半导体装置 [P].

梁皓钧 ;

杨伟善 ;

詹耀宁 ;

陈怡名 ;

李世昌 .

中国专利 :CN114078993A ,2022-02-22

[8]

化合物半导体及化合物半导体单晶的制造方法 [P].

野田朗 ;

川平启太 ;

平野立一 .

中国专利 :CN109963967A ,2019-07-02

[9]

化合物半导体装置及其制造方法 [P].

小谷淳二 .

中国专利 :CN103035699A ,2013-04-10

[10]

化合物半导体制造装置、化合物半导体制造方法以及化合物半导体制造用型架 [P].

樱井哲朗 .

中国专利 :CN102197460A ,2011-09-21

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