化合物半导体基板的制造方法以及化合物半导体基板

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201780070933.X

申请日：

2017-11-10

公开(公告)号：

CN109964306A

公开(公告)日：

2019-07-02

发明(设计)人：

生川满久铃木悠宜大内澄人

申请人：

申请人地址：

日本国北海道

IPC主分类号：

H01L2120

IPC分类号：

C23C1634 C30B2518 C30B2938 H01L21205 H01L21338 H01L29778 H01L29812

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

李逸雪

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-07-02	公开	公开
2019-11-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/20 申请日:20171110

共 50 条

[1]

化合物半导体基板 [P].

大内澄人 ;

铃木悠宜 ;

生川满久 ;

川村启介 .

中国专利 :CN111433889A ,2020-07-17

[2]

化合物半导体基板 [P].

生川满久 ;

大内澄人 ;

铃木悠宜 ;

川村启介 .

中国专利 :CN110402484A ,2019-11-01

[3]

化合物半导体基板 [P].

大内澄人 ;

铃木悠宜 ;

生川满久 ;

川村启介 .

日本专利 :CN113227467B ,2025-02-21

[4]

化合物半导体基板 [P].

大内澄人 ;

铃木悠宜 ;

生川满久 ;

川村启介 .

中国专利 :CN113227467A ,2021-08-06

[5]

化合物半导体基板 [P].

深泽晓 ;

生川满久 ;

川村启介 .

中国专利 :CN107408511B ,2017-11-28

[6]

化合物半导体装置、化合物半导体基板以及化合物半导体装置的制造方法 [P].

菱木繁臣 ;

川村启介 .

中国专利 :CN112997283A ,2021-06-18

[7]

具备SiC层的化合物半导体基板 [P].

生川满久 ;

深泽晓 ;

铃木悠宜 ;

川村启介 .

中国专利 :CN108026638A ,2018-05-11

[8]

化合物半导体基板 [P].

铃木悠宜 ;

大内澄人 ;

生川满久 ;

川村启介 .

中国专利 :CN113302345A ,2021-08-24

[9]

化合物半导体基板、表膜、和化合物半导体基板的制造方法 [P].

奥秀彦 ;

秀一郎 .

中国专利 :CN108699687B ,2022-03-01

[10]

化合物半导体基板的制造方法 [P].

秦雅彦 ;

小野善伸 ;

上田和正 .

中国专利 :CN1871699A ,2006-11-29

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