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化合物半导体基板
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201980086082.7
申请日
:
2019-12-10
公开(公告)号
:
CN113227467B
公开(公告)日
:
2025-02-21
发明(设计)人
:
大内澄人
铃木悠宜
生川满久
川村启介
申请人
:
爱沃特株式会社
申请人地址
:
日本国大阪府
IPC主分类号
:
C30B29/38
IPC分类号
:
C23C16/34
C30B25/18
H01L21/205
代理机构
:
中科专利商标代理有限责任公司 11021
代理人
:
吴克鹏
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-02-21
授权
授权
共 50 条
[1]
化合物半导体基板
[P].
大内澄人
论文数:
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0
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大内澄人
;
铃木悠宜
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铃木悠宜
;
生川满久
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生川满久
;
川村启介
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川村启介
.
中国专利
:CN113227467A
,2021-08-06
[2]
化合物半导体基板
[P].
大内澄人
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大内澄人
;
铃木悠宜
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铃木悠宜
;
生川满久
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生川满久
;
川村启介
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川村启介
.
中国专利
:CN111433889A
,2020-07-17
[3]
化合物半导体基板
[P].
生川满久
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生川满久
;
大内澄人
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大内澄人
;
铃木悠宜
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铃木悠宜
;
川村启介
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川村启介
.
中国专利
:CN110402484A
,2019-11-01
[4]
化合物半导体基板的制造方法以及化合物半导体基板
[P].
生川满久
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生川满久
;
铃木悠宜
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铃木悠宜
;
大内澄人
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大内澄人
.
中国专利
:CN109964306A
,2019-07-02
[5]
化合物半导体基板
[P].
深泽晓
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深泽晓
;
生川满久
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生川满久
;
川村启介
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川村启介
.
中国专利
:CN107408511B
,2017-11-28
[6]
化合物半导体装置、化合物半导体基板以及化合物半导体装置的制造方法
[P].
菱木繁臣
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菱木繁臣
;
川村启介
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川村启介
.
中国专利
:CN112997283A
,2021-06-18
[7]
具备SiC层的化合物半导体基板
[P].
生川满久
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生川满久
;
深泽晓
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深泽晓
;
铃木悠宜
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铃木悠宜
;
川村启介
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川村启介
.
中国专利
:CN108026638A
,2018-05-11
[8]
化合物半导体基板
[P].
铃木悠宜
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铃木悠宜
;
大内澄人
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大内澄人
;
生川满久
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生川满久
;
川村启介
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川村启介
.
中国专利
:CN113302345A
,2021-08-24
[9]
化合物半导体基板、表膜、和化合物半导体基板的制造方法
[P].
奥秀彦
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奥秀彦
;
秀一郎
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秀一郎
.
中国专利
:CN108699687B
,2022-03-01
[10]
化合物半导体装置
[P].
多木俊裕
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多木俊裕
;
冈本直哉
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冈本直哉
.
中国专利
:CN102169894A
,2011-08-31
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