化合物半导体基板

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201980086082.7
申请日
2019-12-10
公开(公告)号
CN113227467B
公开(公告)日
2025-02-21
发明(设计)人
大内澄人 铃木悠宜 生川满久 川村启介
申请人
爱沃特株式会社
申请人地址
日本国大阪府
IPC主分类号
C30B29/38
IPC分类号
C23C16/34 C30B25/18 H01L21/205
代理机构
中科专利商标代理有限责任公司 11021
代理人
吴克鹏
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
化合物半导体基板 [P]. 
大内澄人 ;
铃木悠宜 ;
生川满久 ;
川村启介 .
中国专利 :CN113227467A ,2021-08-06
[2]
化合物半导体基板 [P]. 
大内澄人 ;
铃木悠宜 ;
生川满久 ;
川村启介 .
中国专利 :CN111433889A ,2020-07-17
[3]
化合物半导体基板 [P]. 
生川满久 ;
大内澄人 ;
铃木悠宜 ;
川村启介 .
中国专利 :CN110402484A ,2019-11-01
[4]
化合物半导体基板的制造方法以及化合物半导体基板 [P]. 
生川满久 ;
铃木悠宜 ;
大内澄人 .
中国专利 :CN109964306A ,2019-07-02
[5]
化合物半导体基板 [P]. 
深泽晓 ;
生川满久 ;
川村启介 .
中国专利 :CN107408511B ,2017-11-28
[6]
化合物半导体装置、化合物半导体基板以及化合物半导体装置的制造方法 [P]. 
菱木繁臣 ;
川村启介 .
中国专利 :CN112997283A ,2021-06-18
[7]
具备SiC层的化合物半导体基板 [P]. 
生川满久 ;
深泽晓 ;
铃木悠宜 ;
川村启介 .
中国专利 :CN108026638A ,2018-05-11
[8]
化合物半导体基板 [P]. 
铃木悠宜 ;
大内澄人 ;
生川满久 ;
川村启介 .
中国专利 :CN113302345A ,2021-08-24
[9]
化合物半导体基板、表膜、和化合物半导体基板的制造方法 [P]. 
奥秀彦 ;
秀一郎 .
中国专利 :CN108699687B ,2022-03-01
[10]
化合物半导体装置 [P]. 
多木俊裕 ;
冈本直哉 .
中国专利 :CN102169894A ,2011-08-31