化合物半导体装置、化合物半导体基板以及化合物半导体装置的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201980072627.9

申请日：

2019-10-30

公开(公告)号：

CN112997283A

公开(公告)日：

2021-06-18

发明(设计)人：

菱木繁臣川村启介

申请人：

申请人地址：

日本国大阪府

IPC主分类号：

H01L21338

IPC分类号：

H01L29778 H01L29812

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

李逸雪

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-06-18	公开	公开
2021-09-24	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/338 申请日:20191030

共 50 条

[1]

化合物半导体基板的制造方法以及化合物半导体基板 [P].

生川满久 ;

铃木悠宜 ;

大内澄人 .

中国专利 :CN109964306A ,2019-07-02

[2]

化合物半导体基板 [P].

大内澄人 ;

铃木悠宜 ;

生川满久 ;

川村启介 .

中国专利 :CN113227467A ,2021-08-06

[3]

化合物半导体基板 [P].

大内澄人 ;

铃木悠宜 ;

生川满久 ;

川村启介 .

日本专利 :CN113227467B ,2025-02-21

[4]

化合物半导体装置及化合物半导体装置的制造方法 [P].

伊籐裕规 ;

岩渕昭夫 ;

施欣宏 .

中国专利 :CN102637734A ,2012-08-15

[5]

化合物半导体基板 [P].

深泽晓 ;

生川满久 ;

川村启介 .

中国专利 :CN107408511B ,2017-11-28

[6]

化合物半导体基板 [P].

大内澄人 ;

铃木悠宜 ;

生川满久 ;

川村启介 .

中国专利 :CN111433889A ,2020-07-17

[7]

化合物半导体基板 [P].

生川满久 ;

大内澄人 ;

铃木悠宜 ;

川村启介 .

中国专利 :CN110402484A ,2019-11-01

[8]

化合物半导体装置以及制造该化合物半导体装置的方法 [P].

村田道昭 ;

宇佐美浩之 ;

太田恭久 ;

高桥均 .

中国专利 :CN102254936B ,2011-11-23

[9]

化合物半导体元件及化合物半导体装置 [P].

梁皓钧 ;

杨伟善 ;

詹耀宁 ;

陈怡名 ;

李世昌 .

中国专利 :CN114078993A ,2022-02-22

[10]

化合物半导体制造装置、化合物半导体制造方法以及化合物半导体制造用型架 [P].

樱井哲朗 .

中国专利 :CN102197460A ,2011-09-21

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