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化合物半导体元件及化合物半导体装置

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202110954336.1
申请日：
2021-08-19
公开(公告)号：
CN114078993A
公开(公告)日：
2022-02-22
发明(设计)人：
梁皓钧 杨伟善 詹耀宁 陈怡名 李世昌
申请人：
申请人地址：
中国台湾新竹市
IPC主分类号：
H01L3338
IPC分类号：
H01L3362
代理机构：
北京市柳沈律师事务所 11105
代理人：
陈小雯
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-02-22 公开 公开
共 50 条
[1]
化合物半导体装置、化合物半导体基板以及化合物半导体装置的制造方法 [P]. 
菱木繁臣 ;
川村启介 .
中国专利 :CN112997283A ,2021-06-18
[2]
化合物半导体霍尔元件 [P]. 
胡双元 ;
朱忻 .
中国专利 :CN113241403A ,2021-08-10
[3]
化合物半导体装置的制备方法和化合物半导体装置 [P]. 
李勇 .
中国专利 :CN113451146A ,2021-09-28
[4]
化合物半导体装置 [P]. 
浅野哲郎 ;
上川正博 ;
平田耕一 ;
榊原干人 .
中国专利 :CN1260826C ,2003-01-29
[5]
化合物半导体装置 [P]. 
浅野哲郎 ;
平井利和 ;
东野太荣 ;
平田耕一 ;
榊原干人 .
中国专利 :CN100487895C ,2003-04-23
[6]
化合物半导体装置 [P]. 
浅野哲郎 ;
日下佑一 ;
榊原干人 .
中国专利 :CN1874155A ,2006-12-06
[7]
化合物半导体装置 [P]. 
佐佐木健次 ;
黒谷欣吾 ;
北原崇 .
中国专利 :CN105655393A ,2016-06-08
[8]
化合物半导体装置 [P]. 
畠中奖 ;
山口晴央 .
中国专利 :CN106158951A ,2016-11-23
[9]
化合物半导体装置 [P]. 
多木俊裕 ;
冈本直哉 .
中国专利 :CN102169894A ,2011-08-31
[10]
化合物半导体装置及化合物半导体装置的制造方法 [P]. 
伊籐裕规 ;
岩渕昭夫 ;
施欣宏 .
中国专利 :CN102637734A ,2012-08-15
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