化合物半导体装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN02124890.7

申请日：

2002-06-24

公开(公告)号：

CN1260826C

公开(公告)日：

2003-01-29

发明(设计)人：

浅野哲郎上川正博平田耕一榊原干人

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L29772

IPC分类号：

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

杨梧;马高平

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2003-01-29	公开	公开
2006-06-21	授权	授权
2011-08-31	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101101707936 IPC(主分类):H01L 29/772 专利号:ZL021248907 申请日:20020624 授权公告日:20060621 终止日期:20100624
2004-08-11	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

化合物半导体元件及化合物半导体装置 [P].

梁皓钧 ;

杨伟善 ;

詹耀宁 ;

陈怡名 ;

李世昌 .

中国专利 :CN114078993A ,2022-02-22

[2]

化合物半导体装置、化合物半导体基板以及化合物半导体装置的制造方法 [P].

菱木繁臣 ;

川村启介 .

中国专利 :CN112997283A ,2021-06-18

[3]

化合物半导体装置 [P].

浅野哲郎 ;

平井利和 ;

东野太荣 ;

平田耕一 ;

榊原干人 .

中国专利 :CN100487895C ,2003-04-23

[4]

化合物半导体装置 [P].

浅野哲郎 ;

日下佑一 ;

榊原干人 .

中国专利 :CN1874155A ,2006-12-06

[5]

化合物半导体装置 [P].

佐佐木健次 ;

黒谷欣吾 ;

北原崇 .

中国专利 :CN105655393A ,2016-06-08

[6]

化合物半导体装置 [P].

畠中奖 ;

山口晴央 .

中国专利 :CN106158951A ,2016-11-23

[7]

化合物半导体装置 [P].

多木俊裕 ;

冈本直哉 .

中国专利 :CN102169894A ,2011-08-31

[8]

化合物半导体装置的制备方法和化合物半导体装置 [P].

李勇 .

中国专利 :CN113451146A ,2021-09-28

[9]

化合物半导体装置及化合物半导体装置的制造方法 [P].

伊籐裕规 ;

岩渕昭夫 ;

施欣宏 .

中国专利 :CN102637734A ,2012-08-15

[10]

化合物半导体加热装置 [P].

周雅清 .

中国专利 :CN201933198U ,2011-08-17

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