化合物半导体加热装置

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201020695061.1

申请日：

2010-12-31

公开(公告)号：

CN201933198U

公开(公告)日：

2011-08-17

发明(设计)人：

周雅清

申请人：

申请人地址：

614007 四川省乐山市市中区平羌路北段东侧2层

IPC主分类号：

C30B1514

IPC分类号：

代理机构：

成都中亚专利代理有限公司 51126

代理人：

陈亚石

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-02-25	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101599726629 IPC(主分类):C30B 15/14 专利号:ZL2010206950611 申请日:20101231 授权公告日:20110817 终止日期:20131231
2011-08-17	授权	授权

共 50 条

[1]

化合物半导体元件及化合物半导体装置 [P].

梁皓钧 ;

杨伟善 ;

詹耀宁 ;

陈怡名 ;

李世昌 .

中国专利 :CN114078993A ,2022-02-22

[2]

化合物半导体装置、化合物半导体基板以及化合物半导体装置的制造方法 [P].

菱木繁臣 ;

川村启介 .

中国专利 :CN112997283A ,2021-06-18

[3]

化合物半导体装置 [P].

浅野哲郎 ;

上川正博 ;

平田耕一 ;

榊原干人 .

中国专利 :CN1260826C ,2003-01-29

[4]

化合物半导体装置 [P].

浅野哲郎 ;

平井利和 ;

东野太荣 ;

平田耕一 ;

榊原干人 .

中国专利 :CN100487895C ,2003-04-23

[5]

化合物半导体装置 [P].

浅野哲郎 ;

日下佑一 ;

榊原干人 .

中国专利 :CN1874155A ,2006-12-06

[6]

化合物半导体装置 [P].

佐佐木健次 ;

黒谷欣吾 ;

北原崇 .

中国专利 :CN105655393A ,2016-06-08

[7]

化合物半导体装置 [P].

畠中奖 ;

山口晴央 .

中国专利 :CN106158951A ,2016-11-23

[8]

化合物半导体装置 [P].

多木俊裕 ;

冈本直哉 .

中国专利 :CN102169894A ,2011-08-31

[9]

化合物半导体装置的制备方法和化合物半导体装置 [P].

李勇 .

中国专利 :CN113451146A ,2021-09-28

[10]

化合物半导体装置及化合物半导体装置的制造方法 [P].

伊籐裕规 ;

岩渕昭夫 ;

施欣宏 .

中国专利 :CN102637734A ,2012-08-15

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