化合物半导体装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110055876.2

申请日：

2006-09-20

公开(公告)号：

CN102169894A

公开(公告)日：

2011-08-31

发明(设计)人：

多木俊裕冈本直哉

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县川崎市

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L2920 H01L21335

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司 11127

代理人：

黄纶伟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-08-31	公开	公开
2011-10-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101120312591 IPC(主分类):H01L 29/778 专利申请号:2011100558762 申请日:20060920
2013-04-24	授权	授权

共 50 条

[1]

化合物半导体器件 [P].

多木俊裕 .

中国专利 :CN102651386A ,2012-08-29

[2]

化合物半导体装置及化合物半导体装置的制造方法 [P].

伊籐裕规 ;

岩渕昭夫 ;

施欣宏 .

中国专利 :CN102637734A ,2012-08-15

[3]

化合物半导体装置、化合物半导体基板以及化合物半导体装置的制造方法 [P].

菱木繁臣 ;

川村启介 .

中国专利 :CN112997283A ,2021-06-18

[4]

化合物半导体装置及其制造方法 [P].

美浓浦优一 ;

吉川俊英 .

中国专利 :CN102668092A ,2012-09-12

[5]

化合物半导体装置及其制造方法 [P].

金村雅仁 ;

吉川俊英 .

中国专利 :CN102034859A ,2011-04-27

[6]

化合物半导体基板 [P].

大内澄人 ;

铃木悠宜 ;

生川满久 ;

川村启介 .

中国专利 :CN113227467A ,2021-08-06

[7]

化合物半导体基板 [P].

大内澄人 ;

铃木悠宜 ;

生川满久 ;

川村启介 .

中国专利 :CN111433889A ,2020-07-17

[8]

化合物半导体基板 [P].

大内澄人 ;

铃木悠宜 ;

生川满久 ;

川村启介 .

日本专利 :CN113227467B ,2025-02-21

[9]

化合物半导体基板 [P].

生川满久 ;

大内澄人 ;

铃木悠宜 ;

川村启介 .

中国专利 :CN110402484A ,2019-11-01

[10]

化合物半导体基板的制造方法以及化合物半导体基板 [P].

生川满久 ;

铃木悠宜 ;

大内澄人 .

中国专利 :CN109964306A ,2019-07-02

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