化合物半导体制造装置、化合物半导体制造方法以及化合物半导体制造用型架

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200980143008.0

申请日：

2009-11-04

公开(公告)号：

CN102197460A

公开(公告)日：

2011-09-21

发明(设计)人：

樱井哲朗

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L21205

IPC分类号：

C23C1644

代理机构：

北京市中咨律师事务所 11247

代理人：

段承恩;杨光军

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-02-06	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101510402418 IPC(主分类):H01L 21/205 专利申请号:2009801430080 变更事项:申请人变更前权利人:昭和电工株式会社变更后权利人:丰田合成株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本东京都变更后权利人:日本爱知县登记生效日:20130106
2011-09-21	公开	公开
2011-11-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101141113479 IPC(主分类):H01L 21/205 专利申请号:2009801430080 申请日:20091104
2014-07-23	授权	授权

共 50 条

[1]

化合物半导体装置、化合物半导体基板以及化合物半导体装置的制造方法 [P].

菱木繁臣 ;

川村启介 .

中国专利 :CN112997283A ,2021-06-18

[2]

氮化镓化合物半导体制造方法 [P].

宋盈彻 ;

刘文明 .

中国专利 :CN1322017A ,2001-11-14

[3]

化合物半导体基板的制造方法以及化合物半导体基板 [P].

生川满久 ;

铃木悠宜 ;

大内澄人 .

中国专利 :CN109964306A ,2019-07-02

[4]

化合物半导体装置及化合物半导体装置的制造方法 [P].

伊籐裕规 ;

岩渕昭夫 ;

施欣宏 .

中国专利 :CN102637734A ,2012-08-15

[5]

GaN系化合物半导体的制造方法以及GaN系化合物半导体 [P].

星野恭之 ;

村川美奈子 ;

跡边仁志 .

中国专利 :CN104022191A ,2014-09-03

[6]

化合物半导体衬底、化合物半导体衬底的制造方法以及半导体器件 [P].

柴田佳彦 ;

宫原真敏 ;

池田孝司 ;

国见仁久 .

中国专利 :CN101802979A ,2010-08-11

[7]

化合物半导体及化合物半导体单晶的制造方法 [P].

野田朗 ;

川平启太 ;

平野立一 .

中国专利 :CN109963967A ,2019-07-02

[8]

化合物半导体装置以及制造该化合物半导体装置的方法 [P].

村田道昭 ;

宇佐美浩之 ;

太田恭久 ;

高桥均 .

中国专利 :CN102254936B ,2011-11-23

[9]

半导体制造化学化合物监测过程 [P].

P·阿诺 ;

T·范凯斯特伦 ;

M·O·塔斯 ;

G·范德尔斯达 .

:CN118173470A ,2024-06-11

[10]

化合物半导体装置与制造化合物半导体装置的方法 [P].

岩男昭人 ;

本山理一 .

中国专利 :CN114902424A ,2022-08-12

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