氮化镓化合物半导体制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN00106264.6

申请日：

2000-04-29

公开(公告)号：

CN1322017A

公开(公告)日：

2001-11-14

发明(设计)人：

宋盈彻刘文明

申请人：

申请人地址：

台湾省桃园县

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H05B3300

代理机构：

隆天国际专利商标代理有限公司

代理人：

李强;潘培坤

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2004-09-08	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回
2001-11-14	公开	公开
2001-05-30	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效

共 50 条

[1]

氮化镓系化合物半导体的制造方法 [P].

陈敏璋 ;

林瑞明 ;

余晟辅 ;

徐文庆 ;

何思桦 .

中国专利 :CN102054907B ,2011-05-11

[2]

氮化镓系化合物半导体激光元件的制造方法及氮化镓系化合物半导体激光元件 [P].

松下保彦 ;

中泽崇一 .

中国专利 :CN101147303A ,2008-03-19

[3]

氮化镓化合物半导体发光元件及其制造方法 [P].

李钟览 .

中国专利 :CN101084583A ,2007-12-05

[4]

氮化镓基化合物半导体器件 [P].

李成男 ;

白好善 ;

孙重坤 ;

司空坦 .

中国专利 :CN1855562A ,2006-11-01

[5]

氮化镓系化合物半导体发光元件的制造方法、氮化镓系化合物半导体发光元件和灯 [P].

福永修大 ;

大泽弘 .

中国专利 :CN101427390B ,2009-05-06

[6]

Ⅲ族氮化物半导体晶体的制造方法、基于氮化镓的化合物半导体的制造方法、基于氮化镓的化合物半导体、基于氮化镓的化合物半导体发光器件、以及使用半导体发光器件的光源 [P].

浦岛泰人 ;

奥山峰夫 ;

桜井哲朗 ;

三木久幸 .

中国专利 :CN100341115C ,2005-05-18

[7]

化合物半导体制造装置、化合物半导体制造方法以及化合物半导体制造用型架 [P].

樱井哲朗 .

中国专利 :CN102197460A ,2011-09-21

[8]

氮化镓系Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体器件及其制造方法 [P].

中村修二 ;

山田孝夫 ;

妹尾雅之 ;

山田元量 ;

板东完治 .

中国专利 :CN1262021C ,1999-04-14

[9]

氮化镓基化合物半导体发光器件及其制造方法 [P].

村木典孝 ;

篠原裕直 ;

大泽弘 .

中国专利 :CN101258614A ,2008-09-03

[10]

氮化镓系Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体器件的制造方法 [P].

中村修二 ;

山田孝夫 ;

妹尾雅之 ;

山田元量 ;

板东完治 .

中国专利 :CN1484327A ,2004-03-24

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