化合物半导体及化合物半导体单晶的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201780071427.2

申请日：

2017-11-09

公开(公告)号：

CN109963967A

公开(公告)日：

2019-07-02

发明(设计)人：

野田朗川平启太平野立一

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

C30B2940

IPC分类号：

C30B1500

代理机构：

北京戈程知识产权代理有限公司 11314

代理人：

程伟

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-07-20	授权	授权
2019-07-26	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/40 申请日:20171109
2019-07-02	公开	公开

共 50 条

[1]

化合物半导体装置、化合物半导体基板以及化合物半导体装置的制造方法 [P].

菱木繁臣 ;

川村启介 .

中国专利 :CN112997283A ,2021-06-18

[2]

化合物半导体装置及化合物半导体装置的制造方法 [P].

伊籐裕规 ;

岩渕昭夫 ;

施欣宏 .

中国专利 :CN102637734A ,2012-08-15

[3]

ZnTe系化合物半导体单晶的制造方法和ZnTe系化合物半导体单晶及半导体器件 [P].

山本哲也 ;

荒川笃俊 ;

佐藤贤次 ;

朝日聪明 .

中国专利 :CN100360721C ,2004-05-26

[4]

化合物半导体元件及化合物半导体装置 [P].

梁皓钧 ;

杨伟善 ;

詹耀宁 ;

陈怡名 ;

李世昌 .

中国专利 :CN114078993A ,2022-02-22

[5]

化合物半导体衬底、化合物半导体衬底的制造方法以及半导体器件 [P].

柴田佳彦 ;

宫原真敏 ;

池田孝司 ;

国见仁久 .

中国专利 :CN101802979A ,2010-08-11

[6]

化合物半导体基板的制造方法以及化合物半导体基板 [P].

生川满久 ;

铃木悠宜 ;

大内澄人 .

中国专利 :CN109964306A ,2019-07-02

[7]

化合物半导体的制造方法 [P].

铃木朝实良 ;

梅田英和 ;

石田昌宏 ;

上田哲三 .

中国专利 :CN103081062A ,2013-05-01

[8]

制造Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体的方法和系统及Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体 [P].

片峰俊尚 ;

家近泰 ;

高田朋幸 ;

土田良彦 ;

清水诚也 .

中国专利 :CN1387233A ,2002-12-25

[9]

化合物半导体装置以及制造该化合物半导体装置的方法 [P].

村田道昭 ;

宇佐美浩之 ;

太田恭久 ;

高桥均 .

中国专利 :CN102254936B ,2011-11-23

[10]

化合物半导体装置与制造化合物半导体装置的方法 [P].

岩男昭人 ;

本山理一 .

中国专利 :CN114902424A ,2022-08-12

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