制造Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体的方法和系统及Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN02120017.3

申请日：

2002-05-17

公开(公告)号：

CN1387233A

公开(公告)日：

2002-12-25

发明(设计)人：

片峰俊尚家近泰高田朋幸土田良彦清水诚也

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L2120

IPC分类号：

H01L21205

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

杨凯;梁永

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-10-04	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回
2002-12-25	公开	公开
2004-07-28	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体的制造方法、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体荧光体的制造方法、以及六方晶Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体 [P].

真下茂 ;

欧姆扎克·乌鲁·埃米尔 ;

冈本真人 ;

岩崎秀治 .

中国专利 :CN101939260A ,2011-01-05

[2]

Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体衬底制造方法 [P].

八乡昭广 ;

松本直树 ;

西浦隆幸 .

中国专利 :CN101241855A ,2008-08-13

[3]

制造Ⅲ－V族化合物半导体的方法 [P].

平松和政 ;

三宅秀人 ;

坊山晋也 ;

前田尚良 ;

家近泰 .

中国专利 :CN1310286C ,2003-10-08

[4]

第Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件 [P].

高谷邦启 .

中国专利 :CN101794814A ,2010-08-04

[5]

Ⅲ族氮化物系化合物半导体的制造方法及Ⅲ族氮化物系化合物半导体元件 [P].

小池正好 ;

手钱雄太 ;

平松敏夫 ;

永井诚二 .

中国专利 :CN100421213C ,2005-06-29

[6]

GaAs半导体衬底、Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件及制造方法 [P].

西浦隆幸 .

中国专利 :CN101452894A ,2009-06-10

[7]

Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体发光元件及其制造方法 [P].

山本健作 .

中国专利 :CN100472826C ,2006-05-10

[8]

化合物半导体装置及化合物半导体装置的制造方法 [P].

伊籐裕规 ;

岩渕昭夫 ;

施欣宏 .

中国专利 :CN102637734A ,2012-08-15

[9]

化合物半导体及化合物半导体单晶的制造方法 [P].

野田朗 ;

川平启太 ;

平野立一 .

中国专利 :CN109963967A ,2019-07-02

[10]

Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体及其制备方法 [P].

佐佐木诚 ;

高田朋幸 .

中国专利 :CN101027787A ,2007-08-29

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