制造Ⅲ－V族化合物半导体的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN03108535.0

申请日：

2003-03-26

公开(公告)号：

CN1310286C

公开(公告)日：

2003-10-08

发明(设计)人：

平松和政三宅秀人坊山晋也前田尚良家近泰

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L2120

IPC分类号：

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

吴立明;梁永

法律状态：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-04-11	授权	授权
2003-10-08	公开	公开
2017-05-10	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101719358547 IPC(主分类):H01L 21/20 专利号:ZL031085350 申请日:20030326 授权公告日:20070411 终止日期:20160326
2005-06-01	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

Al系Ⅲ－V族化合物半导体的气相生长方法、Al系Ⅲ－V族化合物半导体的制造方法与制造装置 [P].

纐缬明伯 ;

熊谷义直 ;

丸井智敬 .

中国专利 :CN100345255C ,2005-07-27

[2]

Ⅲ族氮化物系化合物半导体的制造方法 [P].

手钱雄太 .

中国专利 :CN100461340C ,2005-06-08

[3]

Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体的制造方法、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体荧光体的制造方法、以及六方晶Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体 [P].

真下茂 ;

欧姆扎克·乌鲁·埃米尔 ;

冈本真人 ;

岩崎秀治 .

中国专利 :CN101939260A ,2011-01-05

[4]

制造Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体的方法和系统及Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体 [P].

片峰俊尚 ;

家近泰 ;

高田朋幸 ;

土田良彦 ;

清水诚也 .

中国专利 :CN1387233A ,2002-12-25

[5]

Ⅲ族氮化物系化合物半导体的制造方法、包括Ⅲ族氮化物系化合物半导体的晶片以及Ⅲ族氮化物系化合物半导体器件 [P].

奥野浩司 ;

新田州吾 ;

斋藤义树 ;

牛田泰久 ;

中田尚幸 ;

坊山晋也 .

中国专利 :CN101883881A ,2010-11-10

[6]

用于制造Ⅲ族氮化物系化合物半导体的方法以及Ⅲ族氮化物系化合物半导体器件 [P].

小池正好 ;

手钱雄太 ;

山下弘 ;

永井诚二 ;

平松敏夫 .

中国专利 :CN1213462C ,2003-07-09

[7]

化合物半导体基板的制造方法以及化合物半导体基板 [P].

生川满久 ;

铃木悠宜 ;

大内澄人 .

中国专利 :CN109964306A ,2019-07-02

[8]

化合物半导体装置及化合物半导体装置的制造方法 [P].

伊籐裕规 ;

岩渕昭夫 ;

施欣宏 .

中国专利 :CN102637734A ,2012-08-15

[9]

化合物半导体制造装置、化合物半导体制造方法以及化合物半导体制造用型架 [P].

樱井哲朗 .

中国专利 :CN102197460A ,2011-09-21

[10]

III-V族化合物半导体及其制造方法 [P].

清水诚也 ;

森岛进一 ;

佐佐木诚 .

中国专利 :CN100517571C ,2006-01-04

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