化合物半导体装置与制造化合物半导体装置的方法

被引：0

申请号：

CN202080090931.9

申请日：

2020-11-26

公开(公告)号：

CN114902424A

公开(公告)日：

2022-08-12

发明(设计)人：

岩男昭人本山理一

申请人：

申请人地址：

日本神奈川

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L21337 H01L29808 H01L21338 H01L29812

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司 11240

代理人：

余刚

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-08-12	公开	公开
2022-11-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20201126

共 50 条

[1]

化合物半导体装置、化合物半导体基板以及化合物半导体装置的制造方法 [P].

菱木繁臣 ;

川村启介 .

中国专利 :CN112997283A ,2021-06-18

[2]

化合物半导体装置及化合物半导体装置的制造方法 [P].

伊籐裕规 ;

岩渕昭夫 ;

施欣宏 .

中国专利 :CN102637734A ,2012-08-15

[3]

制造化合物半导体器件的方法 [P].

美浓浦优一 ;

冈本直哉 ;

吉川俊英 ;

牧山刚三 ;

多木俊裕 .

中国专利 :CN103035522A ,2013-04-10

[4]

化合物半导体器件和用于制造化合物半导体器件的方法 [P].

宫岛丰生 ;

今西健治 ;

山田敦史 ;

中村哲一 .

中国专利 :CN103035696B ,2013-04-10

[5]

化合物半导体装置 [P].

多木俊裕 ;

冈本直哉 .

中国专利 :CN102169894A ,2011-08-31

[6]

化合物半导体装置以及制造该化合物半导体装置的方法 [P].

村田道昭 ;

宇佐美浩之 ;

太田恭久 ;

高桥均 .

中国专利 :CN102254936B ,2011-11-23

[7]

化合物半导体元件及化合物半导体装置 [P].

梁皓钧 ;

杨伟善 ;

詹耀宁 ;

陈怡名 ;

李世昌 .

中国专利 :CN114078993A ,2022-02-22

[8]

化合物半导体及化合物半导体单晶的制造方法 [P].

野田朗 ;

川平启太 ;

平野立一 .

中国专利 :CN109963967A ,2019-07-02

[9]

化合物半导体装置的制备方法和化合物半导体装置 [P].

李勇 .

中国专利 :CN113451146A ,2021-09-28

[10]

化合物半导体器件和用于制造化合物半导体器件的方法 [P].

镰田阳一 .

中国专利 :CN103367427A ,2013-10-23

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