制造化合物半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210270691.8

申请日：

2012-07-31

公开(公告)号：

CN103035522A

公开(公告)日：

2013-04-10

发明(设计)人：

美浓浦优一冈本直哉吉川俊英牧山刚三多木俊裕

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L21335

IPC分类号：

H01L29778

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

顾晋伟;吴鹏章

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-03-23	授权	授权
2013-04-10	公开	公开
2013-05-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101452520496 IPC(主分类):H01L 21/335 专利申请号:2012102706918 申请日:20120731

共 50 条

[1]

化合物半导体器件和用于制造化合物半导体器件的方法 [P].

宫岛丰生 ;

今西健治 ;

山田敦史 ;

中村哲一 .

中国专利 :CN103035696B ,2013-04-10

[2]

制造化合物半导体的方法和制造半导体器件的方法 [P].

里泰雄 ;

日野智公 ;

成井启修 .

中国专利 :CN1670917A ,2005-09-21

[3]

化合物半导体器件和用于制造化合物半导体器件的方法 [P].

镰田阳一 .

中国专利 :CN103367427A ,2013-10-23

[4]

化合物半导体器件及其制造方法 [P].

今田忠纮 ;

吉川俊英 .

中国专利 :CN102651393A ,2012-08-29

[5]

化合物半导体器件及其制造方法 [P].

今田忠纮 .

中国专利 :CN102651388B ,2012-08-29

[6]

化合物半导体装置与制造化合物半导体装置的方法 [P].

岩男昭人 ;

本山理一 .

中国专利 :CN114902424A ,2022-08-12

[7]

化合物半导体器件及其制造方法 [P].

吉川俊英 .

中国专利 :CN103367426A ,2013-10-23

[8]

化合物半导体器件及其制造方法 [P].

西森理人 ;

吉川俊英 ;

今田忠纮 .

中国专利 :CN103367419B ,2013-10-23

[9]

化合物半导体器件及其制造方法 [P].

今田忠纮 ;

山田敦史 .

中国专利 :CN101771075A ,2010-07-07

[10]

化合物半导体器件及其制造方法 [P].

牧山刚三 ;

冈本直哉 ;

多木俊裕 ;

美浓浦优一 ;

尾崎史朗 ;

宫岛丰生 .

中国专利 :CN103035703B ,2013-04-10

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