一种低温原位控制合成碘铋铜三元化合物半导体光电薄膜材料的化学方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810684416.8

申请日：

2018-06-28

公开(公告)号：

CN110660914A

公开(公告)日：

2020-01-07

发明(设计)人：

郑直张卜生雷岩余海丽杨晓刚齐瑞娟

申请人：

申请人地址：

461000 河南省许昌市八一路88号许昌学院

IPC主分类号：

H01L5142

IPC分类号：

H01L5148 C03C1734 C03C1722

代理机构：

湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102

代理人：

乔宇

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-01-07	公开	公开
2020-02-04	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 51/42 申请日:20180628

共 50 条

[41]

一种碘铋银铜光电材料的制备方法 [P].

刘满营 ;

杨康妮 ;

范二闯 ;

郑直 .

中国专利 :CN115159569B ,2024-03-19

[42]

一种三元铜基硫化物半导体纳米材料的制备方法 [P].

孟祥 ;

程江 ;

唐华 ;

李璐 .

中国专利 :CN110092418A ,2019-08-06

[43]

一种化合物半导体的腐蚀方法 [P].

法比奥·圣阿加塔 ;

艾莉娜·耶尔沃利诺 ;

罗伯特·索科洛夫斯基 ;

董明智 .

中国专利 :CN106257624A ,2016-12-28

[44]

一种添加化合物半导体材料的装置和方法 [P].

史艳磊 ;

孙聂枫 ;

徐成彦 ;

秦敬凯 ;

王书杰 ;

邵会民 ;

刘惠生 .

中国专利 :CN115613123A ,2023-01-17

[45]

一种添加化合物半导体材料的装置和方法 [P].

史艳磊 ;

孙聂枫 ;

徐成彦 ;

秦敬凯 ;

王书杰 ;

邵会民 ;

刘惠生 .

中国专利 :CN115613123B ,2025-10-14

[46]

一种利用有机薄膜进行化合物半导体加工的方法 [P].

符德荣 ;

严立巍 ;

陈政勋 ;

文锺 ;

李景贤 .

中国专利 :CN113013061A ,2021-06-22

[47]

一种三元重稀土铜硫族化合物晶体的制备方法 [P].

付远 ;

邱伊健 ;

张友亮 .

中国专利 :CN114031047A ,2022-02-11

[48]

一种制备三维多枝状硒化铜纳米晶光电薄膜材料的化学方法 [P].

郑直 ;

李大鹏 ;

黄家伟 ;

黄保军 ;

张翼东 ;

赵红晓 ;

杨风岭 ;

张礼之 .

中国专利 :CN101635315A ,2010-01-27

[49]

一种实现化合物半导体材料退火的设备 [P].

程翠然 ;

盛丽娜 ;

李阳 .

中国专利 :CN203834053U ,2014-09-17

[50]

一种半导体化合物注入合成方法 [P].

史艳磊 ;

孙聂枫 ;

王书杰 ;

刘峥 ;

付莉杰 ;

徐成彦 ;

秦敬凯 ;

邵会民 ;

王阳 ;

李晓岚 ;

刘惠生 ;

张晓丹 ;

邹学锋 ;

王维 ;

张鑫 ;

李亚旗 ;

赵红飞 ;

康永 .

中国专利 :CN115198368B ,2024-08-13

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