一种添加化合物半导体材料的装置和方法

被引：0

申请号：

CN202211186438.4

申请日：

2022-09-28

公开(公告)号：

CN115613123A

公开(公告)日：

2023-01-17

发明(设计)人：

史艳磊孙聂枫徐成彦秦敬凯王书杰邵会民刘惠生

申请人：

申请人地址：

050000 河北省石家庄市新华区合作路113号

IPC主分类号：

C30B1502

IPC分类号：

C30B2940 C30B2942 C30B2944 C30B2910

代理机构：

石家庄众志华清知识产权事务所(特殊普通合伙) 13123

代理人：

王苑祥;李双金

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-01-17	公开	公开
2023-02-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 15/02 申请日:20220928

共 50 条

[1]

一种添加化合物半导体材料的装置和方法 [P].

史艳磊 ;

孙聂枫 ;

徐成彦 ;

秦敬凯 ;

王书杰 ;

邵会民 ;

刘惠生 .

中国专利 :CN115613123B ,2025-10-14

[2]

一种添加化合物半导体材料的装置 [P].

史艳磊 ;

孙聂枫 ;

徐成彦 ;

秦敬凯 ;

王书杰 ;

邵会民 ;

刘惠生 .

中国专利 :CN218404502U ,2023-01-31

[3]

一种化合物半导体材料生长装置 [P].

盛丽娜 ;

程翠然 ;

李阳 .

中国专利 :CN203834049U ,2014-09-17

[4]

一种化合物半导体材料多晶合成的装置 [P].

赖占平 ;

高瑞良 ;

齐得格 ;

周春锋 .

中国专利 :CN2666932Y ,2004-12-29

[5]

一种化合物半导体材料摇摆切片装置 [P].

季富华 ;

杨振华 ;

管家辉 .

中国专利 :CN222200726U ,2024-12-20

[6]

化合物半导体装置的制备方法和化合物半导体装置 [P].

李勇 .

中国专利 :CN113451146A ,2021-09-28

[7]

一种化合物半导体材料加工设备 [P].

朱彤 .

中国专利 :CN105590833A ,2016-05-18

[8]

一种化合物半导体多晶料的制备方法 [P].

付莉杰 ;

孙聂枫 ;

孙同年 .

中国专利 :CN108360073A ,2018-08-03

[9]

一种实现化合物半导体材料退火的设备 [P].

程翠然 ;

盛丽娜 ;

李阳 .

中国专利 :CN203834053U ,2014-09-17

[10]

化合物半导体装置、化合物半导体基板以及化合物半导体装置的制造方法 [P].

菱木繁臣 ;

川村启介 .

中国专利 :CN112997283A ,2021-06-18

← 1 2 3 4 5 →