一种大面积制备卤化甲胺铅光电薄膜的化学方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710358213.5

申请日：

2017-05-19

公开(公告)号：

CN107245689B

公开(公告)日：

2017-10-13

发明(设计)人：

雷岩谷龙艳张磊磊郑直杨晓刚高远浩铁伟伟

申请人：

申请人地址：

461000 河南省许昌市八一路88号许昌学院

IPC主分类号：

C23C806

IPC分类号：

代理机构：

湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102

代理人：

乔宇

法律状态：

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国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-07-02	授权	授权
2017-10-13	公开	公开
2017-11-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 8/06 申请日:20170519

共 50 条

[1]

一种大面积制备卤化甲氨铋半导体光电薄膜材料的化学方法 [P].

郑直 ;

余海丽 ;

张卜生 ;

雷岩 ;

杨晓刚 ;

谷龙艳 ;

赵超亮 .

中国专利 :CN109095784A ,2018-12-28

[2]

p型大面积SnTe纳米薄膜光电材料及其制备方法 [P].

宋立媛 ;

唐利斌 ;

郝群 ;

王静宇 ;

吕浩 ;

何文瑾 ;

李艳辉 ;

俞见云 ;

齐浩泽 ;

王海澎 ;

覃钢 ;

辛永刚 ;

庄继胜 .

中国专利 :CN114934257A ,2022-08-23

[3]

基于铅单质薄膜原位大面积控制合成钙钛矿型CH3NH3PbBr3薄膜材料的化学方法 [P].

郑直 ;

贺迎迎 ;

雷岩 ;

程佳美 ;

贾会敏 ;

何伟伟 ;

法文君 ;

刘松子 .

中国专利 :CN105369232A ,2016-03-02

[4]

一种大面积制备PEDOT薄膜的方法 [P].

孙宽 ;

陈瑞 ;

李猛 ;

周永利 ;

张起 ;

张林 ;

胡立俊 .

中国专利 :CN109666265A ,2019-04-23

[5]

一种大面积光栅的制备方法 [P].

周倩 ;

倪凯 ;

梁久久 ;

王翀宇 ;

陈垚鑫 .

中国专利 :CN113514913A ,2021-10-19

[6]

一种制备大面积铁电薄膜的方法 [P].

仇萍荪 ;

丁爱丽 ;

何夕云 ;

程文秀 ;

郑鑫森 .

中国专利 :CN100392886C ,2005-02-16

[7]

一种基于铅单质薄膜原位大面积控制合成钙钛矿型CH3NH3PbI3薄膜材料的化学方法 [P].

郑直 ;

程佳美 ;

雷岩 ;

贾会敏 ;

何伟伟 ;

贺盈盈 .

中国专利 :CN104250723B ,2014-12-31

[8]

快速大面积制备薄膜材料的装置及设置方法 [P].

施毅 ;

左则文 ;

辛煜 ;

濮林 ;

王军转 ;

张荣 ;

韩平 ;

谢自立 ;

顾书林 ;

郑有炓 .

中国专利 :CN101158034A ,2008-04-09

[9]

一种适合大面积制备红外探测薄膜的方法 [P].

王树棋 ;

邹永纯 ;

陈璐 .

中国专利 :CN120730981A ,2025-09-30

[10]

一种可大面积制备聚苯胺薄膜的方法 [P].

孙宽 ;

陈瑞 ;

张艺耀 ;

李猛 ;

陈珊珊 ;

郑玉杰 ;

周永利 ;

李静 .

中国专利 :CN113024805B ,2021-06-25

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