一种在真空环境下转移大面积二维材料的转移平台

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201820102682.0

申请日：

2018-01-22

公开(公告)号：

CN207938577U

公开(公告)日：

2018-10-02

发明(设计)人：

包文中张思梦昝武周鹏张卫

申请人：

申请人地址：

200433 上海市杨浦区邯郸路220号

IPC主分类号：

H01L2167

IPC分类号：

代理机构：

上海正旦专利代理有限公司 31200

代理人：

陆飞;陆尤

法律状态：

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-10-02	授权	授权

共 50 条

[1]

一种大面积二维半导体材料转移方法 [P].

高庆国 ;

程露 ;

黄子健 ;

曹天凡 ;

刘萍 ;

潘新建 ;

于淼 .

中国专利 :CN118704095A ,2024-09-27

[2]

转移大面积二维材料的方法 [P].

付磊 ;

曾梦琪 ;

丁煜 .

中国专利 :CN110983287A ,2020-04-10

[3]

一种精准转移大面积二维材料的方法 [P].

冯丽萍 ;

杨雨龙 ;

吴浩冉 ;

李傲 ;

李焕勇 .

中国专利 :CN116605907B ,2025-07-22

[4]

一种大面积层状二维材料的剥离及其转移方法 [P].

黄颖 ;

高伟 ;

霍能杰 ;

李京波 .

中国专利 :CN113200523B ,2021-08-03

[5]

一种二维材料微图案阵列大面积印刷及转移方法 [P].

李洋 ;

韩宇 .

中国专利 :CN118726934A ,2024-10-01

[6]

一种二维材料微图案阵列大面积印刷及转移方法 [P].

李洋 ;

韩宇 .

中国专利 :CN118726934B ,2025-05-30

[7]

二维半导体材料的转移方法 [P].

邓香香 ;

黄春晖 ;

颜泽毅 ;

范斌斌 ;

胡城伟 ;

李晟曼 ;

吴燕庆 .

中国专利 :CN114649200A ,2022-06-21

[8]

二维半导体材料的转移方法 [P].

邓香香 ;

黄春晖 ;

颜泽毅 ;

范斌斌 ;

胡城伟 ;

李晟曼 ;

吴燕庆 .

中国专利 :CN114649200B ,2024-10-22

[9]

一种二维材料的转移方法 [P].

刘俊江 ;

王焕明 ;

许智 ;

蒋晓磊 .

中国专利 :CN113264522B ,2021-08-17

[10]

洁净无损的二维半导体材料转移方法 [P].

刁裕博 ;

李虎 .

中国专利 :CN119663434A ,2025-03-21

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