一种大面积二维半导体材料转移方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410757384.5

申请日：

2024-06-13

公开(公告)号：

CN118704095A

公开(公告)日：

2024-09-27

发明(设计)人：

高庆国程露黄子健曹天凡刘萍潘新建于淼

申请人：

电子科技大学中山学院

申请人地址：

528400 广东省中山市石岐区学院路1号

IPC主分类号：

C30B29/46

IPC分类号：

C30B29/66 C30B35/00

代理机构：

北京一枝笔知识产权代理事务所(普通合伙) 11791

代理人：

郑怿

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

广东省中山市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-10-18	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 29/46申请日:20240613
2024-09-27	公开	公开

共 50 条

[21]

一种二维半导体材料晶体管及其制备方法 [P].

彭雅琳 ;

张广宇 ;

杨蓉 ;

杨威 ;

时东霞 .

中国专利 :CN115621322A ,2023-01-17

[22]

一种二维半导体材料的金属接触结构及其方法 [P].

王伟伟 .

中国专利 :CN114361252A ,2022-04-15

[23]

一种二维半导体器件及其制备方法 [P].

朱马光 ;

白岩 ;

张凌雨 ;

孙逸夫 ;

何凯悦 .

中国专利 :CN119767741A ,2025-04-04

[24]

基于二维半导体的固态源掺杂方法及二维半导体晶体管 [P].

姜建峰 ;

邱晨光 ;

彭练矛 .

中国专利 :CN115911105B ,2024-08-02

[25]

大面积制备金属相与半导体相接触的二维碲化钼面内异质结的方法及应用 [P].

徐晓龙 ;

叶堉 ;

戴伦 .

中国专利 :CN109727846B ,2019-05-07

[26]

一种大面积单层半导体二维WS2薄膜材料及其制备方法和应用 [P].

杨如森 ;

李晓波 ;

张建斌 ;

周楠 .

中国专利 :CN113755820A ,2021-12-07

[27]

一种二维半导体材料化学气相沉积装置 [P].

肖佳展 ;

郑嘉璐 .

中国专利 :CN220846260U ,2024-04-26

[28]

一种新型二维半导体材料的金属接触结构 [P].

肖佳展 ;

郭智琪 ;

刘致远 .

中国专利 :CN220731451U ,2024-04-05

[29]

一种集成大面积二维材料器件制备工艺 [P].

王磊 ;

曲迪 ;

李宗宴 ;

李文喆 ;

陈帅 .

中国专利 :CN113299541B ,2021-08-24

[30]

一种二维半导体材料的金属接触结构及其制备方法 [P].

童领 ;

包文中 ;

马静怡 ;

郭晓娇 ;

陈新宇 ;

夏银 ;

周鹏 ;

张卫 .

中国专利 :CN112466930B ,2024-10-08

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