一种二维半导体材料晶体管及其制备方法

被引：0

申请号：

CN202110805312.X

申请日：

2021-07-16

公开(公告)号：

CN115621322A

公开(公告)日：

2023-01-17

发明(设计)人：

彭雅琳张广宇杨蓉杨威时东霞

申请人：

申请人地址：

100190 北京市海淀区中关村南三街8号

IPC主分类号：

H01L29786

IPC分类号：

H01L2134 H01L2184 H01L2186 B82Y4000 B82Y1000

代理机构：

北京市英智伟诚知识产权代理事务所(普通合伙) 11521

代理人：

刘丹妮

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-01-17	公开	公开

共 50 条

[1]

一种二维半导体晶体管及其制备方法 [P].

陈鹏 ;

刘贤龙 ;

李宇轩 .

中国专利 :CN119997570B ,2025-12-30

[2]

一种二维半导体晶体管及其制备方法 [P].

陈鹏 ;

刘贤龙 ;

李宇轩 .

中国专利 :CN119997570A ,2025-05-13

[3]

一种基于二维半导体材料薄膜晶体管及其制备方法 [P].

赵天石 ;

赵春 ;

赵策洲 ;

杨莉 ;

于水长 .

中国专利 :CN110047915B ,2024-05-03

[4]

一种基于二维半导体材料薄膜晶体管及其制备方法 [P].

赵天石 ;

赵春 ;

赵策洲 ;

杨莉 ;

于水长 .

中国专利 :CN110047915A ,2019-07-23

[5]

一种基于二维半导体材料的突触晶体管及其制备方法 [P].

杨玉超 ;

朱嘉迪 ;

黄如 .

中国专利 :CN109473549A ,2019-03-15

[6]

基于二维半导体材料的薄膜晶体管及其制备方法 [P].

孙富钦 ;

王小伟 ;

张珽 ;

何小钱 ;

周伟凡 .

中国专利 :CN119545866A ,2025-02-28

[7]

一种二维半导体晶体管及其制备方法 [P].

陈鹏 ;

李宇轩 ;

刘贤龙 .

中国专利 :CN119317160A ,2025-01-14

[8]

一种基于二维半导体材料薄膜晶体管 [P].

赵天石 ;

赵春 ;

赵策洲 ;

杨莉 ;

于水长 .

中国专利 :CN209747517U ,2019-12-06

[9]

基于二维半导体材料的双极性晶体管的制备方法 [P].

周鹏 ;

刘春森 ;

张卫 .

中国专利 :CN107611034A ,2018-01-19

[10]

一种二维材料/半导体异质结隧穿晶体管及制备方法 [P].

黄如 ;

贾润东 ;

黄芊芊 ;

赵阳 ;

王慧敏 ;

陈诚 .

中国专利 :CN107104140A ,2017-08-29

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