一种基于二维半导体材料的突触晶体管及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811267892.6

申请日：

2018-10-29

公开(公告)号：

CN109473549A

公开(公告)日：

2019-03-15

发明(设计)人：

杨玉超朱嘉迪黄如

申请人：

申请人地址：

100871 北京市海淀区颐和园路5号

IPC主分类号：

H01L5105

IPC分类号：

H01L5130 H01L5140

代理机构：

北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360

代理人：

李稚婷

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-10-23	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 51/05 申请公布日:20190315
2019-03-15	公开	公开
2019-04-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 51/05 申请日:20181029

共 50 条

[1]

一种二维半导体材料晶体管及其制备方法 [P].

彭雅琳 ;

张广宇 ;

杨蓉 ;

杨威 ;

时东霞 .

中国专利 :CN115621322A ,2023-01-17

[2]

基于二维半导体材料的薄膜晶体管及其制备方法 [P].

孙富钦 ;

王小伟 ;

张珽 ;

何小钱 ;

周伟凡 .

中国专利 :CN119545866A ,2025-02-28

[3]

一种基于二维半导体材料薄膜晶体管及其制备方法 [P].

赵天石 ;

赵春 ;

赵策洲 ;

杨莉 ;

于水长 .

中国专利 :CN110047915B ,2024-05-03

[4]

一种基于二维半导体材料薄膜晶体管及其制备方法 [P].

赵天石 ;

赵春 ;

赵策洲 ;

杨莉 ;

于水长 .

中国专利 :CN110047915A ,2019-07-23

[5]

一种二维半导体晶体管及其制备方法 [P].

陈鹏 ;

刘贤龙 ;

李宇轩 .

中国专利 :CN119997570B ,2025-12-30

[6]

一种二维半导体晶体管及其制备方法 [P].

陈鹏 ;

刘贤龙 ;

李宇轩 .

中国专利 :CN119997570A ,2025-05-13

[7]

一种突触晶体管及其制备方法 [P].

李润伟 ;

叶俊雅 ;

高双 ;

郭鹏 ;

汪爱英 .

中国专利 :CN110610984A ,2019-12-24

[8]

基于二维半导体材料的双极性晶体管的制备方法 [P].

周鹏 ;

刘春森 ;

张卫 .

中国专利 :CN107611034A ,2018-01-19

[9]

一种基于二维半导体材料的垂直环栅晶体管与制备方法 [P].

张跃 ;

曾浩然 ;

张铮 ;

张先坤 ;

于慧慧 ;

陈超 .

中国专利 :CN120050973A ,2025-05-27

[10]

一种基于二维半导体材料薄膜晶体管 [P].

赵天石 ;

赵春 ;

赵策洲 ;

杨莉 ;

于水长 .

中国专利 :CN209747517U ,2019-12-06

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