一种基于二维半导体材料的突触晶体管及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811267892.6

申请日：

2018-10-29

公开(公告)号：

CN109473549A

公开(公告)日：

2019-03-15

发明(设计)人：

杨玉超朱嘉迪黄如

申请人：

申请人地址：

100871 北京市海淀区颐和园路5号

IPC主分类号：

H01L5105

IPC分类号：

H01L5130 H01L5140

代理机构：

北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360

代理人：

李稚婷

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-10-23	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 51/05 申请公布日:20190315
2019-03-15	公开	公开
2019-04-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 51/05 申请日:20181029

共 50 条

[41]

一种基于全二维半导体材料的双极性光电晶体管、制备方法及其应用 [P].

杨玉珏 ;

刘子浩 ;

董华锋 ;

张欣 ;

吴福根 .

中国专利 :CN112038446A ,2020-12-04

[42]

一种二维环栅晶体管的制备方法、二维环栅晶体管及芯片 [P].

彭海琳 ;

谭聪伟 ;

唐浚川 .

中国专利 :CN120035160A ,2025-05-23

[43]

包括二维材料的晶体管及相关半导体装置、系统及方法 [P].

W·库拉 ;

G·S·桑胡 ;

J·A·斯迈思 .

美国专利 :CN118448454A ,2024-08-06

[44]

包括二维材料的半导体器件及其制造方法 [P].

薛珉洙 ;

权俊荣 ;

柳嬉堤 ;

T·乔杜里 ;

J·朴 ;

C·梁 ;

F·穆吉德 .

韩国专利 :CN120787015A ,2025-10-14

[45]

包括二维材料的晶体管及相关半导体装置、系统及方法 [P].

W·库拉 ;

G·S·桑胡 ;

J·A·斯迈思 .

中国专利 :CN112640126A ,2021-04-09

[46]

包括二维材料的晶体管及相关半导体装置、系统及方法 [P].

W·库拉 ;

G·S·桑胡 ;

J·A·斯迈思 .

美国专利 :CN112640126B ,2024-05-17

[47]

一种基于二维材料的垂直晶体管及其制备方法 [P].

刘霞 ;

胡紫莹 ;

王业亮 .

中国专利 :CN120152345A ,2025-06-13

[48]

一种基于二维半导体材料的红外探测元件及其制备方法 [P].

周长见 ;

吕喆 ;

冯志红 ;

蔚翠 .

中国专利 :CN109786498A ,2019-05-21

[49]

一种基于二维半导体的光电突触器件阵列及其制备方法 [P].

刘富才 ;

王金勇 .

中国专利 :CN117352519A ,2024-01-05

[50]

二维半导体材料的转移方法 [P].

邓香香 ;

黄春晖 ;

颜泽毅 ;

范斌斌 ;

胡城伟 ;

李晟曼 ;

吴燕庆 .

中国专利 :CN114649200B ,2024-10-22

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