一种基于全二维半导体材料的双极性光电晶体管、制备方法及其应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010793400.8

申请日：

2020-08-10

公开(公告)号：

CN112038446A

公开(公告)日：

2020-12-04

发明(设计)人：

杨玉珏刘子浩董华锋张欣吴福根

申请人：

申请人地址：

510060 广东省广州市东风东路729号

IPC主分类号：

H01L3118

IPC分类号：

H01L3111 H01L31032

代理机构：

佛山粤进知识产权代理事务所(普通合伙) 44463

代理人：

王余钱

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-12-04	公开	公开
2022-03-04	授权	授权
2020-12-22	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/18 申请日:20200810

共 50 条

[1]

基于二维半导体材料的双极性晶体管的制备方法 [P].

周鹏 ;

刘春森 ;

张卫 .

中国专利 :CN107611034A ,2018-01-19

[2]

半导体单晶阵列、光电晶体管的制备方法及光电晶体管 [P].

张秀娟 ;

潘京 .

中国专利 :CN117615621A ,2024-02-27

[3]

一种二维浮栅光电晶体管的制备方法及应用 [P].

罗拯东 ;

杨麒玉 ;

张思清 ;

刘艳 ;

韩根全 .

中国专利 :CN115332079A ,2022-11-11

[4]

基于二维沟道的氧化铪基超薄光电晶体管 [P].

孟国栋 ;

折俊艺 ;

余浩 ;

刘鑫 ;

成永红 .

中国专利 :CN117457783A ,2024-01-26

[5]

一种基于二维半导体材料薄膜晶体管 [P].

赵天石 ;

赵春 ;

赵策洲 ;

杨莉 ;

于水长 .

中国专利 :CN209747517U ,2019-12-06

[6]

二维单晶钙钛矿-有机半导体异质结光电晶体管及其制备方法和应用 [P].

江潮 ;

孙慧娟 ;

蔡小勇 .

中国专利 :CN114220919A ,2022-03-22

[7]

一种基于二维半导体材料薄膜晶体管及其制备方法 [P].

赵天石 ;

赵春 ;

赵策洲 ;

杨莉 ;

于水长 .

中国专利 :CN110047915B ,2024-05-03

[8]

一种基于二维半导体材料薄膜晶体管及其制备方法 [P].

赵天石 ;

赵春 ;

赵策洲 ;

杨莉 ;

于水长 .

中国专利 :CN110047915A ,2019-07-23

[9]

一种二维半导体材料晶体管及其制备方法 [P].

彭雅琳 ;

张广宇 ;

杨蓉 ;

杨威 ;

时东霞 .

中国专利 :CN115621322A ,2023-01-17

[10]

一种基于二维半导体材料薄膜晶体管 [P].

袁地 ;

张静 ;

耿会娟 ;

田俊龙 ;

李胜楠 .

中国专利 :CN217114401U ,2022-08-02

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