一种基于二维半导体材料薄膜晶体管

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201920491617.6

申请日：

2019-04-12

公开(公告)号：

CN209747517U

公开(公告)日：

2019-12-06

发明(设计)人：

赵天石赵春赵策洲杨莉于水长

申请人：

申请人地址：

215000 江苏省苏州市工业园区仁爱路111号

IPC主分类号：

H01L2924

IPC分类号：

H01L29423 H01L2951 H01L29786 H01L2134 H01L21445 B82Y3000 B82Y4000

代理机构：

苏州创元专利商标事务所有限公司 32103

代理人：

范晴

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-12-06	授权	授权

共 50 条

[1]

一种基于二维半导体材料薄膜晶体管及其制备方法 [P].

赵天石 ;

赵春 ;

赵策洲 ;

杨莉 ;

于水长 .

中国专利 :CN110047915A ,2019-07-23

[2]

一种基于二维半导体材料薄膜晶体管及其制备方法 [P].

赵天石 ;

赵春 ;

赵策洲 ;

杨莉 ;

于水长 .

中国专利 :CN110047915B ,2024-05-03

[3]

一种基于二维半导体材料薄膜晶体管 [P].

袁地 ;

张静 ;

耿会娟 ;

田俊龙 ;

李胜楠 .

中国专利 :CN217114401U ,2022-08-02

[4]

基于二维半导体材料的薄膜晶体管及其制备方法 [P].

孙富钦 ;

王小伟 ;

张珽 ;

何小钱 ;

周伟凡 .

中国专利 :CN119545866A ,2025-02-28

[5]

一种二维半导体晶体管结构 [P].

包文中 ;

马静怡 ;

郭晓娇 ;

童领 ;

陈新宇 ;

缑赛飞 ;

周鹏 ;

张卫 .

中国专利 :CN214012946U ,2021-08-20

[6]

基于二维半导体材料的双极性晶体管的制备方法 [P].

周鹏 ;

刘春森 ;

张卫 .

中国专利 :CN107611034A ,2018-01-19

[7]

利用薄膜半导体材料的薄膜晶体管 [P].

叶洋 .

中国专利 :CN101803028A ,2010-08-11

[8]

利用薄膜半导体材料的薄膜晶体管 [P].

叶洋 .

中国专利 :CN103151378B ,2013-06-12

[9]

基于二维半导体的固态源掺杂方法及二维半导体晶体管 [P].

姜建峰 ;

邱晨光 ;

彭练矛 .

中国专利 :CN115911105B ,2024-08-02

[10]

有机半导体材料及薄膜晶体管 [P].

许千树 ;

吴忠宪 ;

郑竣丰 ;

王建隆 ;

刘景洋 ;

刘耀闵 .

中国专利 :CN103627147A ,2014-03-12

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