包括二维材料的晶体管及相关半导体装置、系统及方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201980056821.8

申请日：

2019-08-12

公开(公告)号：

CN112640126A

公开(公告)日：

2021-04-09

发明(设计)人：

W·库拉 G·S·桑胡 J·A·斯迈思

申请人：

申请人地址：

美国爱达荷州

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L2966 H01L218234 H01L2102

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

王艳娇

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-04-27	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20190812
2021-04-09	公开	公开

共 50 条

[1]

包括二维材料的晶体管及相关半导体装置、系统及方法 [P].

W·库拉 ;

G·S·桑胡 ;

J·A·斯迈思 .

美国专利 :CN118448454A ,2024-08-06

[2]

包括二维材料的晶体管及相关半导体装置、系统及方法 [P].

W·库拉 ;

G·S·桑胡 ;

J·A·斯迈思 .

美国专利 :CN112640126B ,2024-05-17

[3]

一种二维半导体材料晶体管及其制备方法 [P].

彭雅琳 ;

张广宇 ;

杨蓉 ;

杨威 ;

时东霞 .

中国专利 :CN115621322A ,2023-01-17

[4]

包括二维半导体材料的半导体器件 [P].

李珉贤 ;

薛珉洙 ;

赵连柱 ;

申铉振 .

中国专利 :CN113224144A ,2021-08-06

[5]

二维材料与半导体粉体复合材料的晶体管及制备方法 [P].

苏力宏 ;

王波 ;

黄维 ;

邹子翱 ;

张军平 .

中国专利 :CN110189998B ,2019-08-30

[6]

包括二维材料的晶体管 [P].

K·K·马克西 ;

A·V·佩努玛查 ;

C·H·内勒 ;

C·J·杜罗 ;

K·P·奥布赖恩 ;

S·希瓦拉曼 ;

T·A·戈萨维 ;

U·E·阿夫哲 .

中国专利 :CN114256334A ,2022-03-29

[7]

基于二维半导体材料的薄膜晶体管及其制备方法 [P].

孙富钦 ;

王小伟 ;

张珽 ;

何小钱 ;

周伟凡 .

中国专利 :CN119545866A ,2025-02-28

[8]

一种基于二维半导体材料的突触晶体管及其制备方法 [P].

杨玉超 ;

朱嘉迪 ;

黄如 .

中国专利 :CN109473549A ,2019-03-15

[9]

基于二维半导体的固态源掺杂方法及二维半导体晶体管 [P].

姜建峰 ;

邱晨光 ;

彭练矛 .

中国专利 :CN115911105B ,2024-08-02

[10]

晶体管及半导体装置 [P].

余治宽 ;

洪昇晖 ;

洪丰基 ;

许文义 ;

刘人诚 ;

杨敦年 .

中国专利 :CN220400594U ,2024-01-26

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