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二维材料与半导体粉体复合材料的晶体管及制备方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201910463283.6
申请日
:
2019-05-30
公开(公告)号
:
CN110189998B
公开(公告)日
:
2019-08-30
发明(设计)人
:
苏力宏
王波
黄维
邹子翱
张军平
申请人
:
申请人地址
:
710072 陕西省西安市友谊西路127号
IPC主分类号
:
H01L2134
IPC分类号
:
H01L2972
H01L2978
H01L29861
代理机构
:
西北工业大学专利中心 61204
代理人
:
王鲜凯
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2019-08-30
公开
公开
2021-11-05
授权
授权
2019-09-24
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/34 申请日:20190530
共 50 条
[1]
一种二维半导体材料晶体管及其制备方法
[P].
彭雅琳
论文数:
0
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0
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彭雅琳
;
张广宇
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0
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张广宇
;
杨蓉
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杨蓉
;
杨威
论文数:
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0
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杨威
;
时东霞
论文数:
0
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0
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时东霞
.
中国专利
:CN115621322A
,2023-01-17
[2]
包括二维材料的晶体管及相关半导体装置、系统及方法
[P].
W·库拉
论文数:
0
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0
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0
机构:
美光科技公司
美光科技公司
W·库拉
;
G·S·桑胡
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机构:
美光科技公司
美光科技公司
G·S·桑胡
;
J·A·斯迈思
论文数:
0
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0
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机构:
美光科技公司
美光科技公司
J·A·斯迈思
.
美国专利
:CN118448454A
,2024-08-06
[3]
包括二维材料的晶体管及相关半导体装置、系统及方法
[P].
W·库拉
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W·库拉
;
G·S·桑胡
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G·S·桑胡
;
J·A·斯迈思
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0
J·A·斯迈思
.
中国专利
:CN112640126A
,2021-04-09
[4]
包括二维材料的晶体管及相关半导体装置、系统及方法
[P].
W·库拉
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机构:
美光科技公司
美光科技公司
W·库拉
;
G·S·桑胡
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机构:
美光科技公司
美光科技公司
G·S·桑胡
;
J·A·斯迈思
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0
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机构:
美光科技公司
美光科技公司
J·A·斯迈思
.
美国专利
:CN112640126B
,2024-05-17
[5]
基于二维半导体材料的薄膜晶体管及其制备方法
[P].
论文数:
引用数:
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机构:
孙富钦
;
王小伟
论文数:
0
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机构:
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
王小伟
;
论文数:
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机构:
张珽
;
何小钱
论文数:
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机构:
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
何小钱
;
周伟凡
论文数:
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机构:
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
周伟凡
.
中国专利
:CN119545866A
,2025-02-28
[6]
一种基于二维半导体材料的突触晶体管及其制备方法
[P].
杨玉超
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杨玉超
;
朱嘉迪
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0
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朱嘉迪
;
黄如
论文数:
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0
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0
黄如
.
中国专利
:CN109473549A
,2019-03-15
[7]
基于二维材料的晶体管及其制备方法
[P].
卢年端
论文数:
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卢年端
;
李泠
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0
李泠
;
揣喜臣
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0
揣喜臣
;
杨冠华
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杨冠华
;
耿玓
论文数:
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耿玓
;
刘明
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0
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0
刘明
.
中国专利
:CN109671781B
,2019-04-23
[8]
基于二维半导体材料的双极性晶体管的制备方法
[P].
周鹏
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0
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周鹏
;
刘春森
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刘春森
;
张卫
论文数:
0
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0
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0
张卫
.
中国专利
:CN107611034A
,2018-01-19
[9]
一种基于二维半导体材料薄膜晶体管及其制备方法
[P].
赵天石
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机构:
西交利物浦大学
西交利物浦大学
赵天石
;
赵春
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机构:
西交利物浦大学
西交利物浦大学
赵春
;
赵策洲
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机构:
西交利物浦大学
西交利物浦大学
赵策洲
;
杨莉
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机构:
西交利物浦大学
西交利物浦大学
杨莉
;
于水长
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机构:
西交利物浦大学
西交利物浦大学
于水长
.
中国专利
:CN110047915B
,2024-05-03
[10]
一种基于二维半导体材料薄膜晶体管及其制备方法
[P].
赵天石
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赵天石
;
赵春
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赵春
;
赵策洲
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赵策洲
;
杨莉
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杨莉
;
于水长
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于水长
.
中国专利
:CN110047915A
,2019-07-23
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