基于二维材料的晶体管及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811562389.3

申请日：

2018-12-20

公开(公告)号：

CN109671781B

公开(公告)日：

2019-04-23

发明(设计)人：

卢年端李泠揣喜臣杨冠华耿玓刘明

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

H01L29786

IPC分类号：

H01L2134

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

任岩

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-04-12	授权	授权
2019-05-17	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/786 申请日:20181220
2019-04-23	公开	公开

共 50 条

[1]

基于二维材料的NS叠层晶体管及其制备方法 [P].

包文中 ;

宗凌逸 ;

万景 ;

邓嘉男 ;

郭晓娇 ;

张卫 .

中国专利 :CN111446288B ,2020-07-24

[2]

一种基于二维材料的晶体管及其制备方法和晶体管阵列器件 [P].

赵冲 ;

徐慧龙 ;

张臣雄 .

中国专利 :CN110178221B ,2019-08-27

[3]

一种基于二维材料的垂直晶体管及其制备方法 [P].

刘霞 ;

胡紫莹 ;

王业亮 .

中国专利 :CN120152345A ,2025-06-13

[4]

基于二维半导体材料的薄膜晶体管及其制备方法 [P].

孙富钦 ;

王小伟 ;

张珽 ;

何小钱 ;

周伟凡 .

中国专利 :CN119545866A ,2025-02-28

[5]

一种二维半导体材料晶体管及其制备方法 [P].

彭雅琳 ;

张广宇 ;

杨蓉 ;

杨威 ;

时东霞 .

中国专利 :CN115621322A ,2023-01-17

[6]

一种基于二维半导体材料的突触晶体管及其制备方法 [P].

杨玉超 ;

朱嘉迪 ;

黄如 .

中国专利 :CN109473549A ,2019-03-15

[7]

基于二维材料异质结的多功能浮栅晶体管及其制备方法 [P].

陈凤翔 ;

张一帆 ;

黄子璇 ;

汪礼胜 .

中国专利 :CN120417449A ,2025-08-01

[8]

基于空位的可控掺杂p型二维晶体管及其制备方法 [P].

冯欣 ;

宋苏文 ;

周弘 ;

任泽阳 ;

张苇杭 ;

董鹏飞 ;

吴银河 ;

刘先河 ;

刘志宏 ;

张进成 .

中国专利 :CN119967856A ,2025-05-09

[9]

二维晶体管及其制备方法、极性调控方法 [P].

孙其君 ;

于金冉 .

中国专利 :CN117410336A ,2024-01-16

[10]

基于二维氧化镓薄膜的晶体管及制备方法 [P].

常晶晶 ;

林珍华 ;

袁海东 ;

苏杰 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN111987169A ,2020-11-24

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