包括二维材料的晶体管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110981236.8

申请日：

2021-08-25

公开(公告)号：

CN114256334A

公开(公告)日：

2022-03-29

发明(设计)人：

K·K·马克西 A·V·佩努玛查 C·H·内勒 C·J·杜罗 K·P·奥布赖恩 S·希瓦拉曼 T·A·戈萨维 U·E·阿夫哲

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L2908

IPC分类号：

H01L2910 H01L2912 H01L2924 H01L2978 H01L2518 H05K118

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

申屠伟进;吕传奇

法律状态：

公开

国省代码：

引用

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共 50 条

[1]

基于二维材料的低功耗晶体管散热结构 [P].

赵珉 ;

刘桂英 ;

黄晓桃 .

中国专利 :CN119993929A ,2025-05-13

[2]

二维材料晶体管器件及其形成方法 [P].

姜长城 ;

李昱辰 ;

张海洋 .

中国专利 :CN118712227A ,2024-09-27

[3]

包括二维沟道的晶体管和电子设备 [P].

李珉贤 ;

薛珉洙 ;

申铉振 .

中国专利 :CN113224127A ,2021-08-06

[4]

基于二维材料制备的场效应晶体管 [P].

汤乃云 ;

马逸晨 .

中国专利 :CN209515673U ,2019-10-18

[5]

基于二维电子气调控背栅的二维材料晶体管、制法和应用 [P].

于国浩 ;

丁晓煜 ;

宋亮 ;

张晓东 ;

蔡勇 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN110504297B ,2019-11-26

[6]

二维自对准的晶体管接触 [P].

A·C-H·魏 ;

G·布赫 ;

M·A·扎勒斯基 ;

T·G·尼奥吉 ;

J·E·史蒂芬斯 ;

桂宗郁 ;

J·曾 .

中国专利 :CN104979279A ,2015-10-14

[7]

包括二维材料的晶体管及相关半导体装置、系统及方法 [P].

W·库拉 ;

G·S·桑胡 ;

J·A·斯迈思 .

美国专利 :CN118448454A ,2024-08-06

[8]

包括二维材料的晶体管及相关半导体装置、系统及方法 [P].

W·库拉 ;

G·S·桑胡 ;

J·A·斯迈思 .

中国专利 :CN112640126A ,2021-04-09

[9]

基于二维材料的晶体管及其制备方法 [P].

卢年端 ;

李泠 ;

揣喜臣 ;

杨冠华 ;

耿玓 ;

刘明 .

中国专利 :CN109671781B ,2019-04-23

[10]

包括二维材料的晶体管及相关半导体装置、系统及方法 [P].

W·库拉 ;

G·S·桑胡 ;

J·A·斯迈思 .

美国专利 :CN112640126B ,2024-05-17

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-03-29	公开	公开