基于二维材料制备的场效应晶体管

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201920165558.3

申请日：

2019-01-30

公开(公告)号：

CN209515673U

公开(公告)日：

2019-10-18

发明(设计)人：

汤乃云马逸晨

申请人：

申请人地址：

200090 上海市杨浦区平凉路2103号

IPC主分类号：

H01L29772

IPC分类号：

H01L2924 H01L21335 H01L2949 H01L2906

代理机构：

上海科盛知识产权代理有限公司 31225

代理人：

刘燕武

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-10-18	授权	授权

共 50 条

[1]

一种基于二维材料制备的场效应晶体管 [P].

汤乃云 ;

马逸晨 .

中国专利 :CN109830533A ,2019-05-31

[2]

一种基于二维材料制备的场效应晶体管 [P].

汤乃云 ;

马逸晨 .

中国专利 :CN109830533B ,2025-09-02

[3]

二维材料场效应晶体管的制备方法 [P].

李绍娟 .

中国专利 :CN110783179A ,2020-02-11

[4]

具有二维分布的场效应晶体管单元的场效应晶体管 [P].

C·M·莱顿 ;

A·J·别卢尼斯 ;

I·罗德里格斯 .

中国专利 :CN107924936A ,2018-04-17

[5]

场效应晶体管的制备方法和场效应晶体管 [P].

马万里 ;

赵圣哲 .

中国专利 :CN107104050A ,2017-08-29

[6]

场效应晶体管的制备方法和场效应晶体管 [P].

马万里 .

中国专利 :CN107104145A ,2017-08-29

[7]

场效应晶体管的制备方法和场效应晶体管 [P].

杜蕾 .

中国专利 :CN106298924A ,2017-01-04

[8]

场效应晶体管的制备方法和场效应晶体管 [P].

赵圣哲 .

中国专利 :CN106158665A ,2016-11-23

[9]

场效应晶体管及场效应晶体管的制备方法 [P].

徐慧龙 ;

秦旭东 ;

张臣雄 .

中国专利 :CN108475680A ,2018-08-31

[10]

一种二维材料场效应晶体管的制备方法 [P].

高学栋 ;

冯志红 ;

蔚翠 ;

何泽召 ;

刘庆彬 ;

郭建超 ;

周闯杰 .

中国专利 :CN112309846B ,2021-02-02

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