学术探索
学术期刊
学术作者
新闻热点
数据分析
智能评审

一种二维材料场效应晶体管的制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202011032709.1
申请日：
2020-09-27
公开(公告)号：
CN112309846B
公开(公告)日：
2021-02-02
发明(设计)人：
高学栋 冯志红 蔚翠 何泽召 刘庆彬 郭建超 周闯杰
申请人：
申请人地址：
050051 河北省石家庄市合作路113号
IPC主分类号：
H01L2128
IPC分类号：
H01L21336
代理机构：
石家庄国为知识产权事务所 13120
代理人：
郝晓红
法律状态：
公开
国省代码：
引用
下载
收藏
法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2021-02-02 公开 公开
2021-02-23 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/28 申请日:20200927
2023-01-17 授权 授权
共 50 条
[1]
二维材料场效应晶体管的制备方法 [P]. 
李绍娟 .
中国专利 :CN110783179A ,2020-02-11
[2]
降低二维材料场效应晶体管接触电阻的方法 [P]. 
李绍娟 ;
马玮良 ;
袁建 ;
孙甜 ;
拓明芬 .
中国专利 :CN107919388A ,2018-04-17
[3]
一种二维材料场效应晶体管及制备方法 [P]. 
杨亿斌 ;
招瑜 ;
肖也 ;
牟中飞 ;
李京波 .
中国专利 :CN105826368A ,2016-08-03
[4]
基于二维材料制备的场效应晶体管 [P]. 
汤乃云 ;
马逸晨 .
中国专利 :CN209515673U ,2019-10-18
[5]
一种二维材料场效应晶体管器件及其制备方法 [P]. 
傅德颐 ;
赵永鑫 ;
胡晋威 ;
朱莲英 ;
宇文明 ;
张荣 .
中国专利 :CN118173610A ,2024-06-11
[6]
二维材料场效应晶体管及其制造方法 [P]. 
綦殿禹 ;
许凯 ;
方文章 ;
钟欢 ;
姚一洋 ;
李海川 ;
胡沈醉 .
中国专利 :CN118588568A ,2024-09-03
[7]
一种二维材料场效应晶体管失效样品的制备方法 [P]. 
吴幸 ;
盛智伟 ;
董作院 ;
叶长青 .
中国专利 :CN114152857A ,2022-03-08
[8]
一种二维微型场效应晶体管电极及其制备方法 [P]. 
陈巧玲 ;
关国良 ;
贾瑶瑶 .
中国专利 :CN118315278A ,2024-07-09
[9]
一种基于二维材料制备的场效应晶体管 [P]. 
汤乃云 ;
马逸晨 .
中国专利 :CN109830533A ,2019-05-31
[10]
一种基于二维材料制备的场效应晶体管 [P]. 
汤乃云 ;
马逸晨 .
中国专利 :CN109830533B ,2025-09-02
12345