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一种基于二维材料制备的场效应晶体管
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201910093297.3
申请日
:
2019-01-30
公开(公告)号
:
CN109830533B
公开(公告)日
:
2025-09-02
发明(设计)人
:
汤乃云
马逸晨
申请人
:
上海电力学院
申请人地址
:
200090 上海市杨浦区平凉路2103号
IPC主分类号
:
H10D30/47
IPC分类号
:
H10D30/01
H10D64/66
H10D62/10
H10D62/80
代理机构
:
上海科盛知识产权代理有限公司 31225
代理人
:
刘燕武
法律状态
:
授权
国省代码
:
上海市
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-09-02
授权
授权
共 50 条
[1]
基于二维材料制备的场效应晶体管
[P].
汤乃云
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汤乃云
;
马逸晨
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马逸晨
.
中国专利
:CN209515673U
,2019-10-18
[2]
一种基于二维材料制备的场效应晶体管
[P].
汤乃云
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汤乃云
;
马逸晨
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马逸晨
.
中国专利
:CN109830533A
,2019-05-31
[3]
二维材料场效应晶体管的制备方法
[P].
李绍娟
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李绍娟
.
中国专利
:CN110783179A
,2020-02-11
[4]
具有二维分布的场效应晶体管单元的场效应晶体管
[P].
C·M·莱顿
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C·M·莱顿
;
A·J·别卢尼斯
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A·J·别卢尼斯
;
I·罗德里格斯
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I·罗德里格斯
.
中国专利
:CN107924936A
,2018-04-17
[5]
场效应晶体管的制备方法和场效应晶体管
[P].
马万里
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马万里
;
赵圣哲
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赵圣哲
.
中国专利
:CN107104050A
,2017-08-29
[6]
场效应晶体管的制备方法和场效应晶体管
[P].
马万里
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马万里
.
中国专利
:CN107104145A
,2017-08-29
[7]
一种场效应晶体管
[P].
张凯
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张凯
;
沈文
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沈文
;
董卓
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董卓
;
许毅
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许毅
.
中国专利
:CN210866187U
,2020-06-26
[8]
场效应晶体管的制备方法和场效应晶体管
[P].
杜蕾
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杜蕾
.
中国专利
:CN106298924A
,2017-01-04
[9]
一种二维材料场效应晶体管的制备方法
[P].
高学栋
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高学栋
;
冯志红
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冯志红
;
蔚翠
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蔚翠
;
何泽召
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何泽召
;
刘庆彬
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刘庆彬
;
郭建超
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郭建超
;
周闯杰
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周闯杰
.
中国专利
:CN112309846B
,2021-02-02
[10]
一种二维材料场效应晶体管及制备方法
[P].
杨亿斌
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杨亿斌
;
招瑜
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招瑜
;
肖也
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肖也
;
牟中飞
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牟中飞
;
李京波
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李京波
.
中国专利
:CN105826368A
,2016-08-03
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