一种基于二维材料制备的场效应晶体管

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专利类型
发明
申请号
CN201910093297.3
申请日
2019-01-30
公开(公告)号
CN109830533B
公开(公告)日
2025-09-02
发明(设计)人
汤乃云 马逸晨
申请人
上海电力学院
申请人地址
200090 上海市杨浦区平凉路2103号
IPC主分类号
H10D30/47
IPC分类号
H10D30/01 H10D64/66 H10D62/10 H10D62/80
代理机构
上海科盛知识产权代理有限公司 31225
代理人
刘燕武
法律状态
授权
国省代码
上海市
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共 50 条
[1]
基于二维材料制备的场效应晶体管 [P]. 
汤乃云 ;
马逸晨 .
中国专利 :CN209515673U ,2019-10-18
[2]
一种基于二维材料制备的场效应晶体管 [P]. 
汤乃云 ;
马逸晨 .
中国专利 :CN109830533A ,2019-05-31
[3]
二维材料场效应晶体管的制备方法 [P]. 
李绍娟 .
中国专利 :CN110783179A ,2020-02-11
[4]
具有二维分布的场效应晶体管单元的场效应晶体管 [P]. 
C·M·莱顿 ;
A·J·别卢尼斯 ;
I·罗德里格斯 .
中国专利 :CN107924936A ,2018-04-17
[5]
场效应晶体管的制备方法和场效应晶体管 [P]. 
马万里 ;
赵圣哲 .
中国专利 :CN107104050A ,2017-08-29
[6]
场效应晶体管的制备方法和场效应晶体管 [P]. 
马万里 .
中国专利 :CN107104145A ,2017-08-29
[7]
一种场效应晶体管 [P]. 
张凯 ;
沈文 ;
董卓 ;
许毅 .
中国专利 :CN210866187U ,2020-06-26
[8]
场效应晶体管的制备方法和场效应晶体管 [P]. 
杜蕾 .
中国专利 :CN106298924A ,2017-01-04
[9]
一种二维材料场效应晶体管的制备方法 [P]. 
高学栋 ;
冯志红 ;
蔚翠 ;
何泽召 ;
刘庆彬 ;
郭建超 ;
周闯杰 .
中国专利 :CN112309846B ,2021-02-02
[10]
一种二维材料场效应晶体管及制备方法 [P]. 
杨亿斌 ;
招瑜 ;
肖也 ;
牟中飞 ;
李京波 .
中国专利 :CN105826368A ,2016-08-03