降低二维材料场效应晶体管接触电阻的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711127151.3

申请日：

2017-11-15

公开(公告)号：

CN107919388A

公开(公告)日：

2018-04-17

发明(设计)人：

李绍娟马玮良袁建孙甜拓明芬

申请人：

申请人地址：

215000 江苏省苏州市相城区济学路8号

IPC主分类号：

H01L29417

IPC分类号：

H01L21335

代理机构：

苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257

代理人：

杨慧林

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-04-17	公开	公开
2021-07-30	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 29/417 申请公布日:20180417
2018-05-11	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/417 申请日:20171115

共 50 条

[1]

二维材料场效应晶体管的制备方法 [P].

李绍娟 .

中国专利 :CN110783179A ,2020-02-11

[2]

一种二维材料场效应晶体管的制备方法 [P].

高学栋 ;

冯志红 ;

蔚翠 ;

何泽召 ;

刘庆彬 ;

郭建超 ;

周闯杰 .

中国专利 :CN112309846B ,2021-02-02

[3]

改善二维半导体接触电阻的方法和场效应晶体管 [P].

王振兴 ;

吴子龙 ;

王峰 ;

丁楚芸 .

中国专利 :CN115643790A ,2023-01-24

[4]

二维材料场效应晶体管及其制造方法 [P].

綦殿禹 ;

许凯 ;

方文章 ;

钟欢 ;

姚一洋 ;

李海川 ;

胡沈醉 .

中国专利 :CN118588568A ,2024-09-03

[5]

基于二维材料制备的场效应晶体管 [P].

汤乃云 ;

马逸晨 .

中国专利 :CN209515673U ,2019-10-18

[6]

场效应晶体管的接触电阻的测量方法 [P].

李炫璋 ;

魏洋 ;

范守善 ;

张跃钢 .

中国专利 :CN117517786A ,2024-02-06

[7]

降低GaN极化掺杂场效应晶体管欧姆接触电阻的方法 [P].

房玉龙 ;

尹甲运 ;

冯志红 ;

张志荣 ;

刘波 ;

敦少博 ;

吕元杰 ;

蔡树军 .

中国专利 :CN104992967A ,2015-10-21

[8]

具有二维分布的场效应晶体管单元的场效应晶体管 [P].

C·M·莱顿 ;

A·J·别卢尼斯 ;

I·罗德里格斯 .

中国专利 :CN107924936A ,2018-04-17

[9]

一种二维材料场效应晶体管及制备方法 [P].

杨亿斌 ;

招瑜 ;

肖也 ;

牟中飞 ;

李京波 .

中国专利 :CN105826368A ,2016-08-03

[10]

一种二维材料场效应晶体管器件及其制备方法 [P].

傅德颐 ;

赵永鑫 ;

胡晋威 ;

朱莲英 ;

宇文明 ;

张荣 .

中国专利 :CN118173610A ,2024-06-11

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