包括二维材料的半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510432610.7

申请日：

2025-04-08

公开(公告)号：

CN120787015A

公开(公告)日：

2025-10-14

发明(设计)人：

薛珉洙权俊荣柳嬉堤 T·乔杜里 J·朴 C·梁 F·穆吉德

申请人：

三星电子株式会社芝加哥大学

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H10K10/46

IPC分类号：

H10K10/00 H10K19/10 H10K71/10 H10K71/16 H10K85/60

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

王华芹;金拟粲

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-14	公开	公开

共 50 条

[1]

包括二维半导体材料的半导体器件 [P].

李珉贤 ;

薛珉洙 ;

赵连柱 ;

申铉振 .

中国专利 :CN113224144A ,2021-08-06

[2]

包括二维材料的半导体器件及其制造方法 [P].

薛珉洙 ;

权俊荣 ;

南志卓 ;

俞敏硕 .

韩国专利 :CN117438462A ,2024-01-23

[3]

包括二维材料的半导体器件以及制造该半导体器件的方法 [P].

许镇盛 ;

李基荣 ;

李相烨 ;

李殷奎 ;

李载昊 ;

朴晟准 .

中国专利 :CN106169511B ,2016-11-30

[4]

包括金属-二维材料-半导体接触的半导体器件 [P].

李珉贤 ;

金海龙 ;

申铉振 ;

南胜杰 ;

朴晟准 .

中国专利 :CN106169502B ,2016-11-30

[5]

一种二维半导体器件及其制备方法 [P].

朱马光 ;

白岩 ;

张凌雨 ;

孙逸夫 ;

何凯悦 .

中国专利 :CN119767741A ,2025-04-04

[6]

二维半导体材料的转移方法 [P].

邓香香 ;

黄春晖 ;

颜泽毅 ;

范斌斌 ;

胡城伟 ;

李晟曼 ;

吴燕庆 .

中国专利 :CN114649200B ,2024-10-22

[7]

二维半导体材料的转移方法 [P].

邓香香 ;

黄春晖 ;

颜泽毅 ;

范斌斌 ;

胡城伟 ;

李晟曼 ;

吴燕庆 .

中国专利 :CN114649200A ,2022-06-21

[8]

半导体器件、制造其的方法和包括其的电子设备 [P].

薛珉洙 ;

权俊荣 ;

申建旭 ;

俞敏硕 .

韩国专利 :CN117393612A ,2024-01-12

[9]

二维半导体组件、光电单元与二维半导体组件的制造方法 [P].

陈奕彤 ;

赖映佑 ;

陈俊安 ;

张锌权 ;

李奕贤 .

中国专利 :CN111769201A ,2020-10-13

[10]

一种二维半导体材料的金属接触结构及其方法 [P].

王伟伟 .

中国专利 :CN114361252A ,2022-04-15

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