包括二维材料的半导体器件以及制造该半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610157055.2

申请日：

2016-03-18

公开(公告)号：

CN106169511B

公开(公告)日：

2016-11-30

发明(设计)人：

许镇盛李基荣李相烨李殷奎李载昊朴晟准

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L310224

IPC分类号：

H01L3106 H01L31101

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

屈玉华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-05-18	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/0224 申请日:20160318
2021-03-09	授权	授权
2016-11-30	公开	公开

共 50 条

[1]

包括金属-二维材料-半导体接触的半导体器件 [P].

李珉贤 ;

金海龙 ;

申铉振 ;

南胜杰 ;

朴晟准 .

中国专利 :CN106169502B ,2016-11-30

[2]

包括二维半导体材料的半导体器件 [P].

李珉贤 ;

薛珉洙 ;

赵连柱 ;

申铉振 .

中国专利 :CN113224144A ,2021-08-06

[3]

包括二维材料的半导体器件及其制造方法 [P].

薛珉洙 ;

权俊荣 ;

柳嬉堤 ;

T·乔杜里 ;

J·朴 ;

C·梁 ;

F·穆吉德 .

韩国专利 :CN120787015A ,2025-10-14

[4]

半导体器件以及包括该半导体器件的发光器件封装 [P].

罗锺浩 ;

权五敏 ;

宋俊午 ;

吴正铎 .

中国专利 :CN110494992A ,2019-11-22

[5]

半导体器件以及包括该半导体器件的半导体封装 [P].

杨周宪 .

中国专利 :CN106206498B ,2016-12-07

[6]

半导体器件以及包括该半导体器件的半导体封装 [P].

金知雄 ;

南润锡 ;

申解引 ;

吴世范 ;

李龙愚 ;

赵槿汇 ;

崔汉别 .

韩国专利 :CN120302713A ,2025-07-11

[7]

包括二维材料的半导体器件及其制造方法 [P].

薛珉洙 ;

权俊荣 ;

南志卓 ;

俞敏硕 .

韩国专利 :CN117438462A ,2024-01-23

[8]

半导体器件以及制造该半导体器件的方法 [P].

宋寅铉 ;

梁正吉 ;

李商文 ;

姜明吉 ;

金钟守 ;

朴范琎 .

韩国专利 :CN118693082A ,2024-09-24

[9]

半导体器件以及制造该半导体器件的方法 [P].

李禹太 .

韩国专利 :CN118057937A ,2024-05-21

[10]

半导体器件以及制造该半导体器件的方法 [P].

金锡源 ;

具奉珍 ;

金硕壎 ;

朴志镐 ;

柳相赫 ;

河龙湖 ;

穆萨拉特·哈桑 .

韩国专利 :CN119028905A ,2024-11-26

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