一种集成大面积二维材料器件制备工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110370199.7

申请日：

2021-04-07

公开(公告)号：

CN113299541B

公开(公告)日：

2021-08-24

发明(设计)人：

王磊曲迪李宗宴李文喆陈帅

申请人：

申请人地址：

300467 天津市滨海新区生态城中天大道1620号生态科技园启发大厦12层101

IPC主分类号：

H01L21027

IPC分类号：

H01L2104

代理机构：

天津市鼎和专利商标代理有限公司 12101

代理人：

蒙建军

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-07-29	授权	授权
2021-08-24	公开	公开
2021-09-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/027 申请日:20210407

共 50 条

[1]

转移大面积二维材料的方法 [P].

付磊 ;

曾梦琪 ;

丁煜 .

中国专利 :CN110983287A ,2020-04-10

[2]

一种大面积单元素二维材料制备设备及制备方法 [P].

张甲 ;

葛传洋 ;

孙毅 ;

王振龙 ;

维帅 .

中国专利 :CN110004414A ,2019-07-12

[3]

二维材料膜的批量大面积制备方法 [P].

游学秋 ;

罗达 .

中国专利 :CN105152162A ,2015-12-16

[4]

一种大面积二维半导体材料转移方法 [P].

高庆国 ;

程露 ;

黄子健 ;

曹天凡 ;

刘萍 ;

潘新建 ;

于淼 .

中国专利 :CN118704095A ,2024-09-27

[5]

一种精准转移大面积二维材料的方法 [P].

冯丽萍 ;

杨雨龙 ;

吴浩冉 ;

李傲 ;

李焕勇 .

中国专利 :CN116605907B ,2025-07-22

[6]

一种二维材料膜的批量大面积制备方法 [P].

邓庆明 .

中国专利 :CN110155989A ,2019-08-23

[7]

一种二维材料膜的批量大面积制备设备 [P].

游学秋 ;

罗达 .

中国专利 :CN204356403U ,2015-05-27

[8]

大面积少层二维材料的剥离以及电子器件制备方法 [P].

李耀东 ;

翁士瑞 ;

牛瑞 ;

徐峰 ;

朱文卡 ;

张昌锦 .

中国专利 :CN115215286B ,2025-02-28

[9]

一种钽掺杂大面积二维二硫化铌材料的制备方法 [P].

李惠 ;

刘丰恺 ;

韩慧 .

中国专利 :CN113122819B ,2021-07-16

[10]

一种大面积超薄二维有机单晶的制备方法 [P].

揭建胜 ;

张秀娟 ;

王金文 .

中国专利 :CN115386961A ,2022-11-25

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