低温CVD生长二维半导体材料的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202310054707.X

申请日：

2023-02-03

公开(公告)号：

CN116043192B

公开(公告)日：

2025-10-14

发明(设计)人：

颜泽毅吴燕庆黄春晖胡城伟

申请人：

湘潭大学

申请人地址：

411105 湖南省湘潭市雨湖区羊牯塘街道湘潭大学

IPC主分类号：

C23C16/448

IPC分类号：

H01L21/02 C23C16/30

代理机构：

南京行高知识产权代理有限公司 32404

代理人：

王培松;王菊花

法律状态：

授权

国省代码：

湖南省湘潭市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-14	授权	授权

共 50 条

[1]

二维半导体材料的转移方法 [P].

邓香香 ;

黄春晖 ;

颜泽毅 ;

范斌斌 ;

胡城伟 ;

李晟曼 ;

吴燕庆 .

中国专利 :CN114649200B ,2024-10-22

[2]

二维半导体材料的转移方法 [P].

邓香香 ;

黄春晖 ;

颜泽毅 ;

范斌斌 ;

胡城伟 ;

李晟曼 ;

吴燕庆 .

中国专利 :CN114649200A ,2022-06-21

[3]

包括二维半导体材料的半导体器件 [P].

李珉贤 ;

薛珉洙 ;

赵连柱 ;

申铉振 .

中国专利 :CN113224144A ,2021-08-06

[4]

一种二维半导体材料的掺杂方法及掺杂二维半导体材料 [P].

包文中 .

中国专利 :CN121171888A ,2025-12-19

[5]

洁净无损的二维半导体材料转移方法 [P].

刁裕博 ;

李虎 .

中国专利 :CN119663434A ,2025-03-21

[6]

二维半导体组件、光电单元与二维半导体组件的制造方法 [P].

陈奕彤 ;

赖映佑 ;

陈俊安 ;

张锌权 ;

李奕贤 .

中国专利 :CN111769201A ,2020-10-13

[7]

包括二维材料的半导体器件及其制造方法 [P].

薛珉洙 ;

权俊荣 ;

柳嬉堤 ;

T·乔杜里 ;

J·朴 ;

C·梁 ;

F·穆吉德 .

韩国专利 :CN120787015A ,2025-10-14

[8]

基于二维半导体的固态源掺杂方法及二维半导体晶体管 [P].

姜建峰 ;

邱晨光 ;

彭练矛 .

中国专利 :CN115911105B ,2024-08-02

[9]

二维半导体材料化学气相沉积方法及其装置 [P].

何焱腾 ;

陈乃榕 .

中国专利 :CN115094400A ,2022-09-23

[10]

一种二维半导体材料的金属接触结构 [P].

崔海 ;

谢莉华 ;

卜俊恩 ;

谭思佳 ;

谢姗 .

中国专利 :CN218241852U ,2023-01-06

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