二维材料半导体元件

被引：0

申请号：

CN202111528006.2

申请日：

2021-12-14

公开(公告)号：

CN114420755A

公开(公告)日：

2022-04-29

发明(设计)人：

何焱腾陈乃榕

申请人：

申请人地址：

中国台湾桃园市龙潭区渴望路185号之2

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L2924

代理机构：

北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006

代理人：

徐金国

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-04-29	公开	公开
2022-05-20	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20211214

共 50 条

[1]

二维材料元件和半导体器件 [P].

申铉振 ;

朴晟准 ;

李载昊 ;

许镇盛 .

中国专利 :CN104617135B ,2015-05-13

[2]

包括金属-二维材料-半导体接触的半导体器件 [P].

李珉贤 ;

金海龙 ;

申铉振 ;

南胜杰 ;

朴晟准 .

中国专利 :CN106169502B ,2016-11-30

[3]

包括二维半导体材料的半导体器件 [P].

李珉贤 ;

薛珉洙 ;

赵连柱 ;

申铉振 .

中国专利 :CN113224144A ,2021-08-06

[4]

一种二维半导体材料的掺杂方法及掺杂二维半导体材料 [P].

包文中 .

中国专利 :CN121171888A ,2025-12-19

[5]

二维半导体材料的转移方法 [P].

邓香香 ;

黄春晖 ;

颜泽毅 ;

范斌斌 ;

胡城伟 ;

李晟曼 ;

吴燕庆 .

中国专利 :CN114649200B ,2024-10-22

[6]

二维半导体材料的转移方法 [P].

邓香香 ;

黄春晖 ;

颜泽毅 ;

范斌斌 ;

胡城伟 ;

李晟曼 ;

吴燕庆 .

中国专利 :CN114649200A ,2022-06-21

[7]

洁净无损的二维半导体材料转移方法 [P].

刁裕博 ;

李虎 .

中国专利 :CN119663434A ,2025-03-21

[8]

半导体元件（二） [P].

韩波 .

中国专利 :CN306196453S ,2020-11-27

[9]

包括二维材料的半导体器件及其制造方法 [P].

薛珉洙 ;

权俊荣 ;

柳嬉堤 ;

T·乔杜里 ;

J·朴 ;

C·梁 ;

F·穆吉德 .

韩国专利 :CN120787015A ,2025-10-14

[10]

一种二维材料半导体薄膜的大规模制备及图案化方法及二维材料半导体薄膜 [P].

朱剑 ;

高香香 ;

尹君 ;

卞刚 .

中国专利 :CN111863624B ,2020-10-30

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