二维材料元件和半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410616370.8

申请日：

2014-11-05

公开(公告)号：

CN104617135B

公开(公告)日：

2015-05-13

发明(设计)人：

申铉振朴晟准李载昊许镇盛

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L2972

IPC分类号：

H01L29772 H01L2973 H01L29861 H01L3104 H01L3108 H01L3118 H01L21335 H01L21328

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

张波

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-12-14	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101691958221 IPC(主分类):H01L 29/72 专利申请号:2014106163708 申请日:20141105
2019-11-01	授权	授权
2015-05-13	公开	公开

共 50 条

[1]

二维材料半导体元件 [P].

何焱腾 ;

陈乃榕 .

中国专利 :CN114420755A ,2022-04-29

[2]

包括二维半导体材料的半导体器件 [P].

李珉贤 ;

薛珉洙 ;

赵连柱 ;

申铉振 .

中国专利 :CN113224144A ,2021-08-06

[3]

包括二维材料的半导体器件以及制造该半导体器件的方法 [P].

许镇盛 ;

李基荣 ;

李相烨 ;

李殷奎 ;

李载昊 ;

朴晟准 .

中国专利 :CN106169511B ,2016-11-30

[4]

包括金属-二维材料-半导体接触的半导体器件 [P].

李珉贤 ;

金海龙 ;

申铉振 ;

南胜杰 ;

朴晟准 .

中国专利 :CN106169502B ,2016-11-30

[5]

包括二维材料的半导体器件及其制造方法 [P].

薛珉洙 ;

权俊荣 ;

南志卓 ;

俞敏硕 .

韩国专利 :CN117438462A ,2024-01-23

[6]

包括二维材料的半导体器件及其制造方法 [P].

薛珉洙 ;

权俊荣 ;

柳嬉堤 ;

T·乔杜里 ;

J·朴 ;

C·梁 ;

F·穆吉德 .

韩国专利 :CN120787015A ,2025-10-14

[7]

具有二维电子气和二维空穴气的半导体器件 [P].

A·中岛 ;

S·N·E·马达蒂尔 .

中国专利 :CN103098221B ,2013-05-08

[8]

二维材料结构的制造方法和二维材料器件 [P].

粟雅娟 ;

贾昆鹏 ;

赵超 ;

战俊 ;

曹合适 .

中国专利 :CN105895530B ,2016-08-24

[9]

一种检测目标DNA的二维材料半导体器件制备方法 [P].

叶宇 ;

梅继新 ;

陈娇 ;

徐浪浪 .

中国专利 :CN114883195A ,2022-08-09

[10]

二维电子气发射极半导体器件 [P].

朱恩均 .

中国专利 :CN1006427B ,1987-05-20

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