一种基于二维半导体的浮栅晶体管及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411145415.8

申请日：

2024-08-20

公开(公告)号：

CN119050160A

公开(公告)日：

2024-11-29

发明(设计)人：

李春孔令康兰长勇尹伊

申请人：

电子科技大学

申请人地址：

611731 四川省成都市高新西区西源大道2006号

IPC主分类号：

H01L29/792

IPC分类号：

H01L21/34

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

江苏省常州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-01-14	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/792申请日:20240820
2024-11-29	公开	公开

共 50 条

[1]

一种多功能的二维浮栅晶体管及其制备方法 [P].

王显福 ;

王明杰 ;

饶高峰 ;

崔奕 ;

张淼 ;

陈心睿 ;

田浩翔 ;

吴轲涵 ;

陈龙 .

中国专利 :CN120224750A ,2025-06-27

[2]

一种二维半导体晶体管及其制备方法 [P].

陈鹏 ;

刘贤龙 ;

李宇轩 .

中国专利 :CN119997570B ,2025-12-30

[3]

一种二维半导体晶体管及其制备方法 [P].

陈鹏 ;

李宇轩 ;

刘贤龙 .

中国专利 :CN119317160A ,2025-01-14

[4]

一种二维半导体晶体管及其制备方法 [P].

陈鹏 ;

刘贤龙 ;

李宇轩 .

中国专利 :CN119997570A ,2025-05-13

[5]

一种二维环栅晶体管的制备方法、二维环栅晶体管及芯片 [P].

彭海琳 ;

谭聪伟 ;

唐浚川 .

中国专利 :CN120035160A ,2025-05-23

[6]

一种超短沟道二维半导体场效应晶体管及其制备方法 [P].

罗中中 ;

田夫果 ;

于志浩 ;

赵强 .

中国专利 :CN120751720A ,2025-10-03

[7]

一种二维半导体材料晶体管及其制备方法 [P].

彭雅琳 ;

张广宇 ;

杨蓉 ;

杨威 ;

时东霞 .

中国专利 :CN115621322A ,2023-01-17

[8]

基于二维半导体材料的薄膜晶体管及其制备方法 [P].

孙富钦 ;

王小伟 ;

张珽 ;

何小钱 ;

周伟凡 .

中国专利 :CN119545866A ,2025-02-28

[9]

一种基于二维半导体材料的突触晶体管及其制备方法 [P].

杨玉超 ;

朱嘉迪 ;

黄如 .

中国专利 :CN109473549A ,2019-03-15

[10]

一种基于二维半导体材料薄膜晶体管及其制备方法 [P].

赵天石 ;

赵春 ;

赵策洲 ;

杨莉 ;

于水长 .

中国专利 :CN110047915B ,2024-05-03

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