一种短沟道二维半导体器件制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510815421.8

申请日：

2025-06-18

公开(公告)号：

CN120812971A

公开(公告)日：

2025-10-17

发明(设计)人：

周鹏包文中夏银

申请人：

绍芯实验室

申请人地址：

312000 浙江省绍兴市越城区皋埠街道漫池路13号1号楼

IPC主分类号：

H10D30/01

IPC分类号：

H10D30/47 H10D62/82

代理机构：

绍兴锋行知识产权代理事务所(普通合伙) 33460

代理人：

叶湖东

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-17	公开	公开
2025-11-04	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/01申请日:20250618

共 50 条

[1]

一种二维半导体器件及其制备方法 [P].

朱马光 ;

白岩 ;

张凌雨 ;

孙逸夫 ;

何凯悦 .

中国专利 :CN119767741A ,2025-04-04

[2]

包括二维半导体材料的半导体器件 [P].

李珉贤 ;

薛珉洙 ;

赵连柱 ;

申铉振 .

中国专利 :CN113224144A ,2021-08-06

[3]

一种二维半导体材料的掺杂方法及掺杂二维半导体材料 [P].

包文中 .

中国专利 :CN121171888A ,2025-12-19

[4]

一种掺杂二维半导体的原位制备方法 [P].

张希威 ;

孟丹 ;

田俊龙 .

中国专利 :CN110670048A ,2020-01-10

[5]

包括二维材料的半导体器件及其制造方法 [P].

薛珉洙 ;

权俊荣 ;

柳嬉堤 ;

T·乔杜里 ;

J·朴 ;

C·梁 ;

F·穆吉德 .

韩国专利 :CN120787015A ,2025-10-14

[6]

一种二维半导体材料的金属接触结构及其制备方法 [P].

童领 ;

包文中 ;

马静怡 ;

郭晓娇 ;

陈新宇 ;

夏银 ;

周鹏 ;

张卫 .

中国专利 :CN112466930B ,2024-10-08

[7]

一种二维半导体材料的金属接触结构及其制备方法 [P].

童领 ;

包文中 ;

马静怡 ;

郭晓娇 ;

陈新宇 ;

夏银 ;

周鹏 ;

张卫 .

中国专利 :CN112466930A ,2021-03-09

[8]

一种二维半导体晶体管及其制备方法 [P].

陈鹏 ;

刘贤龙 ;

李宇轩 .

中国专利 :CN119997570A ,2025-05-13

[9]

一种二维半导体晶体管及其制备方法 [P].

陈鹏 ;

刘贤龙 ;

李宇轩 .

中国专利 :CN119997570B ,2025-12-30

[10]

一种二维半导体薄膜的转移方法 [P].

谭化兵 ;

瞿研 ;

郭冰 .

中国专利 :CN117812981A ,2024-04-02

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