一种二维MXene基活性电极材料、制备方法及人工突触器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411065979.0

申请日：

2024-08-05

公开(公告)号：

CN119160893B

公开(公告)日：

2025-04-08

发明(设计)人：

张跃李天铎廖庆亮荀晓晨赵璇高放放徐良旭李苇航高滋檀

申请人：

北京科技大学

申请人地址：

100083 北京市海淀区学院路30号

IPC主分类号：

H01M4/36

IPC分类号：

C01B32/921

代理机构：

北京金智普华知识产权代理有限公司 11401

代理人：

岳野

法律状态：

授权

国省代码：

辽宁省葫芦岛市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-08	授权	授权
2025-01-07	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C01B 32/921申请日:20240805
2024-12-20	公开	公开

共 50 条

[1]

一种二维MXene基活性电极材料、制备方法及人工突触器件 [P].

张跃 ;

李天铎 ;

廖庆亮 ;

荀晓晨 ;

赵璇 ;

高放放 ;

徐良旭 ;

李苇航 ;

高滋檀 .

中国专利 :CN119160893A ,2024-12-20

[2]

提升二维MXene人工突触性能的方法 [P].

张跃 ;

于沛霖 ;

廖庆亮 ;

赵璇 ;

宣景悦 ;

张珂语 .

中国专利 :CN120806009A ,2025-10-17

[3]

二维MXene高动态范围人工突触的构筑方法 [P].

张跃 ;

于沛霖 ;

廖庆亮 ;

赵璇 ;

宣景悦 ;

张珂语 .

中国专利 :CN120897664A ,2025-11-04

[4]

一种基于二维铁电材料的人工异源突触器件及调控方法 [P].

杨玉超 ;

刘柯钦 ;

黄如 .

中国专利 :CN111341911B ,2020-06-26

[5]

一种基于二维ReS<sub>2</sub>材料的光调控人工突触器件 [P].

孙林锋 ;

张倩玉 .

中国专利 :CN119866090A ,2025-04-22

[6]

一种基于二维黑磷/硫化锡异质结的人工突触器件 [P].

吕文星 ;

田红梅 ;

吴晓晶 ;

曹喻霖 ;

杨玮民 ;

邵志斌 ;

王晓波 .

中国专利 :CN119170651A ,2024-12-20

[7]

一种碳基二维复合电极材料及其制备方法 [P].

刘治明 ;

王晓君 ;

何燕 ;

李海昌 ;

孙洪冉 ;

徐常蒙 .

中国专利 :CN112830474A ,2021-05-25

[8]

一种氧化还原型人工突触器件及制备方法 [P].

张跃 ;

荀晓晨 ;

廖庆亮 ;

李天铎 ;

赵璇 ;

高放放 ;

徐良旭 ;

李苇航 ;

高滋檀 .

中国专利 :CN118660618B ,2024-11-15

[9]

一种单层二维纳米材料MXene的制备方法 [P].

朱艳超 ;

李恩 .

中国专利 :CN112142101A ,2020-12-29

[10]

一种氧化还原型人工突触器件及制备方法 [P].

张跃 ;

荀晓晨 ;

廖庆亮 ;

李天铎 ;

赵璇 ;

高放放 ;

徐良旭 ;

李苇航 ;

高滋檀 .

中国专利 :CN118660618A ,2024-09-17

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