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半导体器件及其制造方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202011329295.9
申请日
:
2020-11-24
公开(公告)号
:
CN112635305A
公开(公告)日
:
2021-04-09
发明(设计)人
:
熊子遥
王敏
王鹏
李振亚
申请人
:
申请人地址
:
430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号
IPC主分类号
:
H01L21263
IPC分类号
:
H01L21268
H01L21321
代理机构
:
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237
代理人
:
曹廷廷
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2021-04-27
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/263 申请日:20201124
2021-04-09
公开
公开
共 50 条
[1]
半导体器件及其制造方法
[P].
梁擎擎
论文数:
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引用数:
0
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梁擎擎
;
罗军
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罗军
;
钟汇才
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钟汇才
;
赵超
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赵超
;
朱慧珑
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朱慧珑
.
中国专利
:CN103077919B
,2013-05-01
[2]
半导体器件制造方法
[P].
李春龙
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李春龙
;
李俊峰
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李俊峰
;
闫江
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闫江
;
孟令款
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孟令款
;
贺晓彬
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贺晓彬
;
陈广璐
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陈广璐
;
赵超
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赵超
.
中国专利
:CN103681274B
,2014-03-26
[3]
半导体器件及其制造方法
[P].
赵宇航
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赵宇航
;
胡胜
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胡胜
;
杨帆
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杨帆
.
中国专利
:CN113394268B
,2021-09-14
[4]
半导体器件及其制造方法
[P].
门岛胜
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门岛胜
;
井上真雄
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井上真雄
.
中国专利
:CN108735800A
,2018-11-02
[5]
半导体器件及其制造方法
[P].
何永根
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何永根
;
吴兵
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吴兵
;
刘焕新
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刘焕新
.
中国专利
:CN102881656B
,2013-01-16
[6]
半导体器件及其制造方法
[P].
赵猛
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赵猛
.
中国专利
:CN101989548A
,2011-03-23
[7]
半导体器件及其制造方法
[P].
佐藤幸弘
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佐藤幸弘
;
清原俊范
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清原俊范
.
中国专利
:CN108807323A
,2018-11-13
[8]
半导体器件及其制造方法
[P].
肖德元
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肖德元
.
中国专利
:CN105336614A
,2016-02-17
[9]
半导体器件及其制造方法
[P].
王欢
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王欢
.
中国专利
:CN114496794A
,2022-05-13
[10]
半导体器件及其制造方法
[P].
神野健
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神野健
.
中国专利
:CN104465684B
,2015-03-25
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