半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110197676.0

申请日：

2011-07-15

公开(公告)号：

CN102881656B

公开(公告)日：

2013-01-16

发明(设计)人：

何永根吴兵刘焕新

申请人：

申请人地址：

100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号

IPC主分类号：

H01L218238

IPC分类号：

H01L21265 H01L27092 H01L2906

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

孙宝海

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-01-16	公开	公开
2015-06-17	授权	授权
2013-02-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101401519884 IPC(主分类):H01L 21/8238 专利申请号:2011101976760 申请日:20110715

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

何永根 ;

吴金刚 ;

姚海标 .

中国专利 :CN102915969A ,2013-02-06

[2]

半导体器件制造方法 [P].

尹海洲 ;

赵治国 .

中国专利 :CN103730369A ,2014-04-16

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

熊子遥 ;

王敏 ;

王鹏 ;

李振亚 .

中国专利 :CN112635305A ,2021-04-09

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

赵宇航 ;

胡胜 ;

杨帆 .

中国专利 :CN113394268B ,2021-09-14

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

门岛胜 ;

井上真雄 .

中国专利 :CN108735800A ,2018-11-02

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN101989548A ,2011-03-23

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

佐藤幸弘 ;

清原俊范 .

中国专利 :CN108807323A ,2018-11-13

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

肖德元 .

中国专利 :CN105336614A ,2016-02-17

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

王欢 .

中国专利 :CN114496794A ,2022-05-13

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

神野健 .

中国专利 :CN104465684B ,2015-03-25

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